全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布,支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配,推動下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基礎設施發展。 隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集,數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別,現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構... (來源:新品頻道)
瑞薩電子功率半導體數據中心AI 2025-10-15 09:17
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)為環隆科技股份有限公司(UMEC)提供CoolGaN™功率晶體管,應用于其新型250 W網絡以太網供電(PoE)適配器。英飛凌CoolGaN™晶體管具備極高的可靠性和卓越的性能,助力環隆科技開發更安全且高效... (來源:新品頻道)
英飛凌 CoolGaN以太網供電器 2025-10-11 13:11
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布與臺達電子工業股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)強化既有合作伙伴關系,共同開發高功率密度電源模塊,為超大型數據中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數據中心邁向低碳化與數字化的重要一步。 ... (來源:新品頻道)
英飛凌臺達電源模塊 2025-8-29 09:16
全球領先的電子設計與制造服務供貨商USI環旭電子宣布,即將推出新一代1.6T光模組產品,鎖定高速運算與AI數據中心應用,協助客戶提升數據中心網絡拓撲效能,應對AI模型規模擴展所帶來的龐大數據傳輸需求。 1.6T光模組 隨著AI算力與數據量的飛速增長,傳統電傳輸已無法滿足長距離、高帶寬的通訊需... (來源:新品頻道)
環旭電子傳輸光模組 2025-7-25 15:24
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現已全面量產,首款產品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破,在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸,將n型導電... (來源:新品頻道)
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
基于成熟的SuperGaN技術,650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,適用于人工智能(AI)數據中心和服務器電源(包括新型... (來源:新品頻道)
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關(BDS)。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構,是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及,以及全球數字化和再工業化趨勢的持續,預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶體管模塊,進一步擴大其持續壯大的氮化鎵(GaN)功率產品... (來源:新品頻道)
英飛凌EasyPACK功率模塊氮化鎵 2025-5-15 16:01
新一代(Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產品在高負載條件下能夠保持較低的傳導損耗,其開關品質因數(FOM)顯著提升高達30%。在強化性能的同時,確保了卓越的可靠性。 日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯... (來源:新品頻道)
AOSMOSFET 2025-5-7 10:41
為推動下一代固態配電系統的發展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32