电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在新品中搜索到 32 條關于“CoolSiC”的信息，用時:0.027 sec.

英飛凌推出CoolSiC 肖特基二極管2000 V的TO－247－2封裝，在提升效率的同時簡化設計

目前，許多工業應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發展，實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二極管2000 V G5產品系列，這...
英飛凌CoolSiC 肖特基二極管2000 V G5系列 2025-03-17

英飛凌推出采用Q－DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2，實現更高的功率密度

電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列...
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V... 2025-02-20

英飛凌推出CoolSiC 肖特基二極管2000 V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設計更簡單

如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳...
英飛凌CoolSiC 肖特基二極管2000 V 2024-10-24

貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC™ ...
貿澤英飛凌CoolSiC G2 MOSFET 2024-07-24

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司...
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 VAI服務器電源 2024-06-25

英飛凌推出TOLT和Thin－TOLL封裝的新型工業CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系統功率密度

在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌...
英飛凌Thin－TOLL封裝CoolSiC MOSFET 650 V... 2024-06-13

英飛凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PS...
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V... 2024-03-18

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不...
英飛凌CoolSiC MOSFET 2000 ...碳化硅分立器件 2024-03-13

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這...
英飛凌62 mm封裝CoolSiC產品... 2023-11-29

采用TO263－7封裝的新一代1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET推動電動出行的發展

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC™ MOSFET。這款新一代車規級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。...
英飛凌1200 V CoolSiC 溝槽式...碳化硅（SiC）MOSFET 2023-07-03

1 2 3 4 下一頁

關鍵字搜索分類查看

新聞(40)

新品(32)

技術文章(74)

解決方案(12)

博客日志(2)

主站蜘蛛池模板：乌拉特中旗| 新密市| 罗定市| 赫章县| 广饶县| 济源市| 宁强县| 垫江县| 长武县| 金平| 长宁区| 安仁县| 福海县| 延川县| 怀远县| 五峰| 大关县| 临邑县| 苍南县| 徐州市| 迭部县| 资中县| 宁城县| 金乡县| 平谷区| 上蔡县| 青岛市| 张家口市| 永德县| 青河县| 桂东县| 海原县| 获嘉县| 中阳县| 黄骅市| 花莲市| 库尔勒市| 高雄市| 离岛区| 柘城县| 鄄城县|