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英飛凌推出采用 Q－DPAK 封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供... （來源：新品頻道）

英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電... （來源：新品頻道）

英飛凌導(dǎo)通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車工業(yè) 2025-7-1 11:20

英飛凌推出采用Q－DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列... （來源：新品頻道）

英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V G2 2025-2-20 11:33

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司... （來源：新品頻道）

英飛凌 CoolSiC MOSFET 400 V AI服務(wù)器電源 2024-6-25 11:20

英飛凌推出TOLT和Thin－TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系統(tǒng)功率密度

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢(shì)。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌... （來源：新品頻道）

英飛凌Thin－TOLL封裝CoolSiC MOSFET 650 V G2 2024-6-13 16:08

英飛凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PS... （來源：新品頻道）

英飛凌 CoolSiC MOSFET 750 V G1 2024-3-18 09:30

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不... （來源：新品頻道）

英飛凌 CoolSiC MOSFET 2000 V 碳化硅分立器件 2024-3-13 14:43

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這... （來源：新品頻道）

英飛凌62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合 2023-11-29 11:43

采用TO263－7封裝的新一代1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC™ MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。... （來源：新品頻道）

英飛凌 1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET 碳化硅（SiC）MOSFET 2023-7-3 11:36

英飛凌的 CoolSiC XHP 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化

為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件，需要頻繁加速和制動(dòng)，且要在相當(dāng)長的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司為了滿足上述需求，在其 CoolSiCT... （來源：新品頻道）

英飛凌 CoolSiC XHP 2 高功率模塊低碳化 2023-5-12 14:33

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英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

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采用TO263－7封裝的新一代1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

英飛凌的 CoolSiC XHP 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化