龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統效率和優異的EMI性能。 該產品耐壓為650V,導通電阻僅為99mΩ,使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率,同... (來源:新品頻道)
龍騰半導體MOSFET 2025-9-28 10:02
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用,適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。 100V U... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET開關電源 2025-9-25 15:16
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率... (來源:新品頻道)
東芝TOLLMOSFETSiC 2025-8-28 15:44
-四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET 2025-5-20 12:03
為推動下一代固態配電系統的發展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
在物聯網領域中,無線射頻技術作為設備間通信的核心手段,已深度滲透工業自動化、智慧城市及智能家居等多元場景。然而,隨著物聯網設備接入規模的不斷擴大,如何降低運維成本,提升通信數據的傳輸速度和響應時間,實現更廣泛、更穩定的覆蓋已成為當前亟待解決的系統性難題。 SoC無線收發模塊-RFM2... (來源:新品頻道)
華普微 RFM25A12 SoC無線收發模塊 2025-3-14 09:25
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統中,MOSFET作為核心元件扮演著至關重要的角色,支撐從數據中心到通訊基站等各種開關電源應用。雖然其應用廣泛且深受歡迎,但技術挑戰依舊嚴峻。伴隨器件尺寸的縮減,物理限制逐漸顯現,MOSFET面臨著性能瓶頸;加之苛刻環境對可靠性的迫切要求,構成了需要共同攻克... (來源:新品頻道)
東芝MOSFETTPH9R00CQ5 2025-2-19 10:10
開發人員可以在巨大的 STM32 生態系統內選擇器件專用軟件和中間件以及 NUCLEO開發板意法半導體宣布 STM32WL33系列無線微控制器 (MCU) 正式上市,新系列產品集成了最新一代Sub-GHz長距離射頻收發器、Arm® Cortex®-M0+處理器內核和針對智能表計應用定制的外設以及改進的省電功能。新款 MCU 大大簡... (來源:新品頻道)
意法半導體 STM32WL33系列 無線微控制器 (MCU) 2024-12-2 10:35
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品,供客戶評估。 當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電... (來源:新品頻道)
東芝車載牽引逆變器1200 V SiC MOSFET 2024-11-13 10:40
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出兩項全新的CoolGaN™產品技術:CoolGaN™雙向開關(BDS)和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能,提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關,適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變... (來源:新品頻道)
英飛凌 CoolGaN雙向開關 CoolGaN Smart Sense 2024-7-10 08:37