埃賦隆半導體（Ampleon）現已發布BLF989E射頻功率晶體管，這一晶體管采用了最新的第九代高壓（50V）LDMOS工藝技術。BLF989E是針對用于下一代UHF電視發射機所需的高效Doherty放大器而設計的。 作為UHF廣播應用射頻功率晶體管的全球市場領導者，Ampleon開發了BLF989E來滿足市場對電視發射機更高效運行... （來源：新品頻道）
晶體管Doherty埃賦隆半導體BLF989E 2020-10-16 10:04
Peregrine半導體公司加利福尼亞州圣迭戈，美國 - 基于硅絕緣體（SOI）射頻集成電路（RFIC）的無晶圓供應商 - 宣布推出第一款產品的可用性從整體的相位和振幅控制器（MPAC ）產品系列。根據該公司的的UltraCMOS硅藍寶石上的技術和覆蓋1.8-2.2GHz的頻率范圍，所述的UltraCMOS PE46120集成了一個90°混合RF... （來源：新品頻道）
PeregrineUltraCMOS單片相位振幅控制器 2015-5-27 13:33
飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。 飛思卡爾 MRF8S18260H/S、 MRF8P18265H/S和MRF8S19260H/S 產品是飛思卡爾RF功率放大器中高壓第8代（HV8）產品系列的最新成員。 它們在1800和1900MHz頻段中，提供飛思... （來源：新品頻道）
FreescaleRF LDMOS功率晶體管 2010-9-30 10:12
TriQuint半導體公司宣布推出首款新型高效率、綠色環保的3G/4G無線基站TriPower™射頻集成電路系列。TriPower器件解決網絡運營商對消費者智能手機及類似產品迅速增長的高帶寬要求的兩大挑戰。TriPower降低啟動網絡基站放大器的所需的電力，同時運營商能更容易地提高網絡容量和速度。 更有效的放大... （來源：新品頻道）
TriQuint3G／4G 2010-5-31 10:46
Freescale半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供介于分離式和集成式電路解決方案之間的選擇。此選擇隨同提供兩個參考設計，為設計人員帶來更好的靈活性，并且有助于縮短上市時間。新晶體管經過優化，用于基于時分同步碼分多址技術（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA則是目前中... （來源：新品頻道）
FreescaleTD-SCDMA 無線網絡RF功率器件參考設計 2009-8-31 15:25
恩智浦半導體發布了全球最高效的三路Doherty放大器，為節能RF基站樹立了新的標準，并拓展了其業界領先的RF功率解決方案系列。該Doherty電路基于恩智浦特有專利的設計概念，對于多載波W-CDMA信號，其能效水平超過47%，平均功率輸出為48 dBm，增益為15 dB，峰均比為8 dB。目前的設計涵蓋了W-CDMA標準I頻段... （來源：新品頻道）
NXP高效三路分立式Doherty放大器 2009-6-11 00:00
NXP推出全球首款TD-SCDMA和WCDMA基站用全集成Doherty功率放大器，從而進一步豐富了其業界領先的射頻功率晶體管產品范圍。先進的BLD6G21-50和BLD6G22-50全集成功率放大器繼承了恩智浦的射頻技術創新，不僅使設計更加簡易，而且提供無與倫比的效率，在10 W平均功率時的效率大于40%。與AB類放大器相比，這... （來源：新品頻道）
NXPTD-SCDMAWCDMA基站Doherty放大器 2009-2-3 15:50
英飛凌發布了專門面向700 MHz頻段無線基礎設施應用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動電視廣播和其他移動寬帶服務，其中包括LTE（長期演進）和下一代無線網絡標準。這一全新系列產品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個55 W驅動器及兩個輸出級晶體管（分... （來源：新品頻道）
射頻功率晶體管700 MHz頻段 2008-6-30 18:27
恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個... （來源：新品頻道）
基站功率晶體管BLC7G22L橫向擴散金屬氧化物半導體無線通信 2008-5-21 16:13
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