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PANJIT推出具備175°C (TJ) 高結(jié)溫溫度能力的HULV超低VF橋式整流器系列，持續(xù)引領(lǐng)高效能功率整流技術(shù)。此系列在800V反向耐壓條件下，展現(xiàn)業(yè)界最佳的熱穩(wěn)定性與導(dǎo)通效率，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、電信設(shè)備、游戲平臺以及80+白金/鈦金級PC電源等高功率密度系統(tǒng)。HULV系列采用先進的平面EPI芯片接面制程技... （來源：新品頻道）
PANJIT整流橋結(jié)溫 溫度 2025-6-30 09:13
Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM)宣布推出MAX25430 100W USB供電(PD)升/降壓控制器和保護器，為車載充電器提供業(yè)界最小尺寸、最低成本方案。作為業(yè)界集成度最高的方案，MAX25430與競爭方案相比將設(shè)計尺寸大幅縮減40%，并提供業(yè)界最低成本，有助于增加車輛中的USB PD端口數(shù)量。 隨... （來源：新品頻道）
Maxim buck／boost 2020-10-14 16:09
英飛凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二極管，是CoolSiC二極管產(chǎn)品系列的最新成員。它立足于第五代產(chǎn)品與眾不同的特性，能確保可靠性、質(zhì)量并提高效率。CoolSiCG6二極管是對600 V和650 V CoolMOS™ 7產(chǎn)品系列的完美補充。它們面向當(dāng)前和未來的服務(wù)器和PC電源、電信設(shè)備電源和光... （來源：新品頻道）
英飛凌提高開關(guān)速度第六代650 V CoolSiC肖特基二極管 2017-9-29 14:23
英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）壯大現(xiàn)有的CoolMOS™技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS P7：高... （來源：新品頻道）
英飛凌高壓MOSFET600 V CoolMOS P7600 V CoolMOS C7 Gold 2017-4-10 11:30
大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于 STM的L4984、STTH8S06、STL140N4LL、STF18N60M2、SRK2000A、L6699、TSM1014A、TSC888C等器件的臺式電腦32W 12/27A的電源解決方案。 臺式電腦（Desk Top PC）電源規(guī)格已逐漸走向類似筆記型計算機---以單組輸出電壓配合PC內(nèi)部的多組DC/DC轉(zhuǎn)換。由于為了提高D... （來源：新品頻道）
大聯(lián)大控股友尚臺式電腦 2014-5-22 16:01
大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚集團推出基于Intel Oak Trai、TI Sitara™ AM335x ARM Cortex™-A8 處理器和MPS系列產(chǎn)品的平板電腦參考設(shè)計方案。 適用于平板電腦的Intel Oak Trail 平臺 大聯(lián)大友尚集團代理的Intel針對平板電腦的Oak Trail的參考設(shè)計的特色在于：深度睡眠---可在系統(tǒng)無運作狀... （來源：新品頻道）
大聯(lián)大友尚集團Intel Oak TraiTI SitaraMPSAM335x ARM Cortex－A8平板電腦 2013-11-11 14:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。 新產(chǎn)... （來源：新品頻道）
STMOSFET 2012-9-13 10:20
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎(chǔ)。 在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶... （來源：新品頻道）
英飛凌650V MOSFET 2011-2-15 09:50
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET™ II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。... （來源：新品頻道）
FairchildMOSFET器件UniFET II 2011-1-25 14:37
此次，半導(dǎo)體廠商羅姆株式會社（總公司：日本京都市）與羅姆集團的日沖半導(dǎo)體公司共同開發(fā)完成了LSI芯片組的3個部件，它與美國Intel®公司針對嵌入用途而新開發(fā)的“Intel®ATOMTM處理器 E6xx系列”（開發(fā)代號“Tunnel Creek”）共同構(gòu)成系統(tǒng)，是不可或缺的組件。產(chǎn)品預(yù)計從2010年9月中旬起出樣，... （來源：新品頻道）
羅姆日沖半導(dǎo)體IntelATOMTM處理器E6xx系列 2010-9-15 15:30
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