東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用,適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。 100V U... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET開關電源 2025-9-25 15:16
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2,將工業應用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27
低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行,通常低于100 V,但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用,即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容: 低抗性(RDS(ON))以減少傳導過程中的功率損失,從而提高能源效率。當設備打開時,低壓MOSFET的排水源電阻特別低... (來源:技術文章頻道)
低壓電源MOSFET設計 2025-2-11 11:17
差分晶振是一種有源晶體振蕩器,通過將晶體振蕩器中的振蕩信號分成兩個相位相反的輸出信號,并通過差分放大電路進行放大和處理,產生穩定的差分輸出信號。差分晶振具有較好的抗干擾能力,能提供更穩定、更精確的時鐘信號,廣泛應用于通信網絡、數據中心、汽車電子、工業自動化、測試測量、醫療設備等領... (來源:技術文章頻道)
差分晶振 大普技術 晶體振蕩器 2024-6-3 09:52
電動汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 正在經歷快速變化,它允許消費者直接通過家里或公共或商業網點的交流電源為電池充電。提高充電速率的需要導致功率水平從 3.6 kW 增加到 22 kW,但與此同時,OBC 必須安裝在現有的機械外殼內,并始終由汽車攜帶,而不影響行駛里程。,有人提出將 OBC 功率密度從 4 kW/L ... (來源:技術文章頻道)
汽車 GaN FET HEV/EV 2024-1-2 10:43
氣溫每升高1度,海平面將上升2.3米,伴隨而來的還有地質災害、極端天氣和流行疾病的增加。2020年至2030年對于全球環境發展來說是至關重要的十年,我們需要在2030年前將全球溫室氣體(GHG)排放量減半,以避免造成災難性的氣候變化。人類已經步入了把握自己命運的最后一個窗口期,全世界已經達成共識,要... (來源:技術文章頻道)
智慧城市 節能技術 2023-6-13 14:22
在當前全球經濟衰退和整個半導體行業下行周期背景下,汽車半導體似乎成為了一個逆勢的窗口產業。與此同時,隨著汽車電動化、智能化、網聯化、共享化等新四化發展趨勢,以及新能源汽車產銷兩旺的持續景氣市場,汽車電子迎來結構性變革機遇。新能源汽車(混合動力汽車或純電動汽車等)半導體含量顯著高于... (來源:技術文章頻道)
新能源汽車功率器件 2023-6-5 11:10
晶體管的開關速度即由其開關時間來表征,開關時間越短,開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程,相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff,晶體管的總開關時間就是ton與toff之和。如何提高晶體管的開關速度?——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。(1)晶體管的開關時間:晶體管... (來源:技術文章頻道)
三極管開關速度 2023-5-26 13:10
智慧城市節能技術 2023-5-25 14:02
全新產品系列包括快速開關MOSFET和半橋功率集成模塊,具備領先行業的每開關超低導通電阻Rds(on),采用行業標準封裝智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。... (來源:新品頻道)
安森美1200 V EliteSiC M3S器件電動汽車 2023-5-11 11:20