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英飛凌推出采用 Q－DPAK 封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供... （來(lái)源：新品頻道）

英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27

低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)

低壓功率MOSFET設(shè)計(jì)用于以排水源電壓運(yùn)行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計(jì)相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過(guò)程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開(kāi)時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

低壓電源MOSFET設(shè)計(jì) 2025-2-11 11:17

低抖動(dòng)差分時(shí)鐘：賦能AI時(shí)代光網(wǎng)絡(luò)精準(zhǔn)同步

差分晶振是一種有源晶體振蕩器，通過(guò)將晶體振蕩器中的振蕩信號(hào)分成兩個(gè)相位相反的輸出信號(hào)，并通過(guò)差分放大電路進(jìn)行放大和處理，產(chǎn)生穩(wěn)定的差分輸出信號(hào)。差分晶振具有較好的抗干擾能力，能提供更穩(wěn)定、更精確的時(shí)鐘信號(hào)，廣泛應(yīng)用于通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子、工業(yè)自動(dòng)化、測(cè)試測(cè)量、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

差分晶振大普技術(shù) 晶體振蕩器 2024-6-3 09:52

汽車(chē) GaN FET 專(zhuān)為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器 (OBC) 正在經(jīng)歷快速變化，它允許消費(fèi)者直接通過(guò)家里或公共或商業(yè)網(wǎng)點(diǎn)的交流電源為電池充電。提高充電速率的需要導(dǎo)致功率水平從 3.6 kW 增加到 22 kW，但與此同時(shí)，OBC 必須安裝在現(xiàn)有的機(jī)械外殼內(nèi)，并始終由汽車(chē)攜帶，而不影響行駛里程。，有人提出將 OBC 功率密度從 4 kW/L ... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

汽車(chē) GaN FET HEV／EV 2024-1-2 10:43

智慧城市中值得關(guān)注的節(jié)能技術(shù)

氣溫每升高1度，海平面將上升2.3米，伴隨而來(lái)的還有地質(zhì)災(zāi)害、極端天氣和流行疾病的增加。2020年至2030年對(duì)于全球環(huán)境發(fā)展來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的十年，我們需要在2030年前將全球溫室氣體（GHG）排放量減半，以避免造成災(zāi)難性的氣候變化。人類(lèi)已經(jīng)步入了把握自己命運(yùn)的最后一個(gè)窗口期，全世界已經(jīng)達(dá)成共識(shí)，要... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

智慧城市節(jié)能技術(shù) 2023-6-13 14:22

新能源汽車(chē)加速爆發(fā)，功率器件迎來(lái)增長(zhǎng)新契機(jī)

在當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)衰退和整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)下行周期背景下，汽車(chē)半導(dǎo)體似乎成為了一個(gè)逆勢(shì)的窗口產(chǎn)業(yè)。與此同時(shí)，隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化等新四化發(fā)展趨勢(shì)，以及新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)兩旺的持續(xù)景氣市場(chǎng)，汽車(chē)電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革機(jī)遇。新能源汽車(chē)（混合動(dòng)力汽車(chē)或純電動(dòng)汽車(chē)等）半導(dǎo)體含量顯著高于... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

新能源汽車(chē)功率器件 2023-6-5 11:10

分析三極管的開(kāi)關(guān)速度由什么決定

晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征，開(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程，相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。(1)晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間：晶體管... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

三極管開(kāi)關(guān)速度 2023-5-26 13:10

智慧城市中值得關(guān)注的節(jié)能技術(shù)

氣溫每升高1度，海平面將上升2.3米，伴隨而來(lái)的還有地質(zhì)災(zāi)害、極端天氣和流行疾病的增加。2020年至2030年對(duì)于全球環(huán)境發(fā)展來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的十年，我們需要在2030年前將全球溫室氣體（GHG）排放量減半，以避免造成災(zāi)難性的氣候變化。人類(lèi)已經(jīng)步入了把握自己命運(yùn)的最后一個(gè)窗口期，全世界已經(jīng)達(dá)成共識(shí)，要... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

智慧城市節(jié)能技術(shù) 2023-5-25 14:02

安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件提高電動(dòng)汽車(chē)和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的能效

全新產(chǎn)品系列包括快速開(kāi)關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領(lǐng)先行業(yè)的每開(kāi)關(guān)超低導(dǎo)通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。... （來(lái)源：新品頻道）

安森美1200 V EliteSiC M3S器件電動(dòng)汽車(chē) 2023-5-11 11:20

如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？

晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征，開(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程，相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。（1）晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間晶體... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

晶體管開(kāi)關(guān)速度 2023-4-26 10:51

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英飛凌推出采用 Q－DPAK 封裝的CoolSiC MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)

低抖動(dòng)差分時(shí)鐘：賦能AI時(shí)代光網(wǎng)絡(luò)精準(zhǔn)同步

汽車(chē) GaN FET 專(zhuān)為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設(shè)計(jì)

智慧城市中值得關(guān)注的節(jié)能技術(shù)

新能源汽車(chē)加速爆發(fā)，功率器件迎來(lái)增長(zhǎng)新契機(jī)

分析三極管的開(kāi)關(guān)速度由什么決定

智慧城市中值得關(guān)注的節(jié)能技術(shù)

安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件提高電動(dòng)汽車(chē)和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的能效

如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度？