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英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價(jià)比，可支持新型雙向電力電子系統(tǒng)。它取代了傳統(tǒng)的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關(guān)速度，并縮小了電源系統(tǒng)的尺寸，降低了 BOM 成本。 當(dāng)前，我們正在擴(kuò)展組件生態(tài)系統(tǒng)，通過100V 低邊驅(qū)動(dòng) IC INS1011SD&... （來源：新品頻道）
英諾賽科驅(qū)動(dòng)IC 2025-8-11 09:22
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新的參考設(shè)計(jì)“REF67004”，該設(shè)計(jì)可通過單個(gè)微控制器控制被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子電源和工業(yè)設(shè)備電源中的兩種轉(zhuǎn)換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準(zhǔn)諧振反激式*2轉(zhuǎn)換器。通過將ROHM的優(yōu)勢(shì)&mdash... （來源：新品頻道）
ROHMPFC反激控制電源設(shè)計(jì) 2025-7-22 16:05
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著簡(jiǎn)化GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢(shì)... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等... （來源：新品頻道）
東芝驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合TLP5814 2025-3-6 15:02
隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司... （來源：新品頻道）
英飛凌 CoolSiC MOSFET 400 V AI服務(wù)器電源 2024-6-25 11:20
~利用LogiCoA™微控制器，以更低功耗實(shí)現(xiàn)與全數(shù)字控制電源同等的功能~ROHM面向中小功率（30W～1kW級(jí)）的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備，開始提供LogiCoA™電源解決方案，該解決方案能以模擬控制電源*1級(jí)別的低功耗和低成本實(shí)現(xiàn)與全數(shù)字控制電源*2同等的功能。 在以中等功率工作的工業(yè)機(jī)器人和半... （來源：新品頻道）
ROHM LogiCoA電源解決方案 2024-5-9 11:01
利用LogiCoA™微控制器，以更低功耗實(shí)現(xiàn)與全數(shù)字控制電源同等的功能全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW級(jí)）的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備，開始提供LogiCoA™電源解決方案，該解決方案能以模擬控制電源*1級(jí)別的低功耗和低成本實(shí)現(xiàn)與全數(shù)字控制電源*2同等的功... （來源：新品頻道）
ROHM LogiCoA 微控制器全數(shù)字控制電源 2024-4-26 10:06
基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工... （來源：新品頻道）
EPC GaN FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 電動(dòng)自行車機(jī)器人無人機(jī) 2023-11-9 14:40
穩(wěn)健、高效，可像 MOSFET 一樣驅(qū)動(dòng)Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系... （來源：新品頻道）
Cambridge GaN DevicesICeGaN ICs 2023-5-15 15:28
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專門用于驅(qū)動(dòng)E−mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋... （來源：新品頻道）
納芯微GaNNSD2621和NSG65N15K 2023-2-6 09:46
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