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Vishay推出先進(jìn)的30 V N溝道MOSFET，進(jìn)一步提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻僅為0.95 mW，比...
VishayMOSFETSiSS52DN 2021-05-25

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