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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器，而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置G...
GaNFET設(shè)計(jì)LT8390AGaNDC－DC轉(zhuǎn)換器 2024-11-05

增強(qiáng) E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開(kāi) GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增強(qiáng)模式行為，并且該技術(shù)自 2010 年代初期以來(lái)已投入商業(yè)應(yīng)用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡(jiǎn)化了...
共源共柵 GaNGaNFET 2024-10-11

TI推出250W氮化鎵IPM，比IGBT更小巧更高效

隨著快充市場(chǎng)的成功，如今的氮化鎵（GaN）已經(jīng)不滿足于固守在單一領(lǐng)域，而是向MOSFET占據(jù)的其他廣泛市場(chǎng)發(fā)起挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)正是其中之一。日前，德州儀器（TI）推出了業(yè)界先進(jìn)的適用于250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的650V三相氮化鎵 IPM DRV7308，應(yīng)用領(lǐng)域包括了冰箱、空調(diào)、HVAC等白色家電的電機(jī)中。TI系統(tǒng)工程師...
德州儀器氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2024-06-27

Qorvo－揭秘?zé)嵩O(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵密碼

本文將帶您深入探討設(shè)計(jì)工程師在熱設(shè)計(jì)過(guò)程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問(wèn)題。具體來(lái)說(shuō)，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題。針對(duì)可靠性的熱設(shè)計(jì)熱設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的課題，但其中也有一些基礎(chǔ)原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板（PCB）上采用塑封半導(dǎo)體時(shí)的...
Qorvo關(guān)鍵密碼大功率氮化鎵（GaN）器... 2024-06-11

面向未來(lái)的電源開(kāi)關(guān)解決方案

在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中，對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長(zhǎng)。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域，通過(guò)提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度，此類優(yōu)化對(duì)于擴(kuò)展性能和延長(zhǎng)續(xù)航里程至關(guān)重要。對(duì)于工業(yè)而言，提高效率是減少全球能源消耗和增強(qiáng)可持續(xù)性的必需條，因此當(dāng)前重點(diǎn)是直流微電網(wǎng)技術(shù)的效率...
電源開(kāi)關(guān)電源SiCGaNIGBTMOSFET 2024-05-10

C2000實(shí)時(shí)微控制器（MCU）應(yīng)對(duì) GaN 開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。電力電子行業(yè)的設(shè)計(jì)人員需要采用新的技術(shù)和方法來(lái)提高GaN 系統(tǒng)的性能，在利用GaN 技術(shù)開(kāi)發(fā)現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)...
C2000實(shí)時(shí)微控制器數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器 2021-10-20

利用GaAs LNA和GaN PA進(jìn)行無(wú)線設(shè)計(jì)應(yīng)牢記的幾大事項(xiàng)

對(duì)性能、微型化和更高頻率運(yùn)行的推動(dòng)正在挑戰(zhàn)無(wú)線系統(tǒng)的兩個(gè)關(guān)鍵天線連接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。使5G 成為現(xiàn)實(shí)的努力，以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波無(wú)線電鏈路和相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的使用促成了這種轉(zhuǎn)變。這些應(yīng)用的要求包括較低噪聲（對(duì)于LNA）和較高能效（對(duì)...
無(wú)線設(shè)計(jì)功率放大器(PA)低噪聲放大器 2021-05-26

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之三：高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲，泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍

手把手，帶你解密GaN電源設(shè)計(jì) 作者：泰克科技由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障...
RF通信寬禁帶半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì) 2020-05-12

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷總監(jiān)Yong Ang 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與...
氮化鎵電源設(shè)計(jì)寬禁帶技術(shù) 2020-03-16

基于Transphorm GaN FET的4kW圖騰柱PFC電源評(píng)估板

　　電能是現(xiàn)代社會(huì)運(yùn)行的能量基礎(chǔ)，電能通過(guò)電源設(shè)備進(jìn)行規(guī)格轉(zhuǎn)換，將符合要求的電能輸送給用電設(shè)備。在電源設(shè)備轉(zhuǎn)換電能的過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生能量損耗。電源作為電能與用電設(shè)備的接口無(wú)處不在，任何一點(diǎn)的損耗都會(huì)被極度放大，無(wú)論從成本角度還是從環(huán)境保護(hù)的角度，我們都不能忽視這些損耗，于是降低損耗...
PFC電源評(píng)估板電路系統(tǒng)非隔離結(jié)構(gòu) 2019-07-23

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