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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)

1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。截至2024年，三菱電機(jī)已量產(chǎn)第二代平面柵SiC MOSFET芯片，并配套于各種模塊實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。圖1顯示了第二代平...
三菱電機(jī)SiC MOSFETSiC芯片技術(shù) 2024-12-10

你知道DAC電源噪聲是怎么傳播的嗎？

問(wèn)：DAC電源相位噪聲傳播路徑芯片上的所有電路都必須通過(guò)某種方式供電，這就給噪聲傳播到輸出端提供了很多機(jī)會(huì)。不同電路電源噪聲的傳播路徑也不一樣，下面著重指出了幾種常見(jiàn)的 DAC 電源噪聲傳播路徑。如下圖，DAC輸出端通常由電流源和MOS管組成，MOS管引導(dǎo)電流通過(guò)正引腳或負(fù)引腳供電。電流...
DAC電源噪聲 2024-12-06

如何利用英飛凌MOTIX embedded power硬件機(jī)制標(biāo)定小電機(jī)ECU

作者：Avanti，Haipeng背景介紹英飛凌MOTIX™ MCU專為實(shí)現(xiàn)一系列電機(jī)控制應(yīng)用的機(jī)電電機(jī)控制解決方案而設(shè)計(jì)，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機(jī)量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要...
英飛凌ECUMOTIXMCU 2024-12-03

如何為不同的電機(jī)選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？納芯微帶你深入了解！

在現(xiàn)代生活中，電機(jī)廣泛使用在家電產(chǎn)品、汽車電子、工業(yè)控制等眾多應(yīng)用領(lǐng)域，每一個(gè)電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)都離不開(kāi)合適的驅(qū)動(dòng)芯片。納芯微提供豐富的電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品選擇，本期視頻將重點(diǎn)介紹常見(jiàn)電機(jī)種類與感性負(fù)載應(yīng)用，幫助大家更深入了解如何選擇合適的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。常見(jiàn)感性負(fù)載的種類及應(yīng)用介紹電機(jī)本質(zhì)...
納芯微電機(jī)驅(qū)動(dòng)NSD8381 2024-11-26

極致優(yōu)化整機(jī)效率，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在POWERQUARK中的創(chuàng)新

快充技術(shù)的發(fā)展不斷突破著功率極限。隨著功率增大，芯片的溫升效應(yīng)隨之顯著，熱損耗加劇，影響系統(tǒng)整體的能量轉(zhuǎn)化效率，過(guò)熱的芯片還可能帶來(lái)安全性和使用壽命等方面的隱患。作為目前主流快充系統(tǒng)的核心器件，反激變換器的效率與整機(jī)溫升和散熱成本密不可分，如何進(jìn)一步提升它的效率始終是電源設(shè)計(jì)工程...
軟開(kāi)關(guān)技術(shù)POWERQUARK反激變換器 2024-11-05

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估

摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤，就會(huì)致使變換器功率開(kāi)關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過(guò)模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載...
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)功率變換器魯棒性評(píng)估 2024-10-12

聊一聊步進(jìn)電機(jī)的幾件事

作者：Alan Yang1. 什么是步進(jìn)電機(jī)？步進(jìn)電機(jī)是一種將電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)角位移或線位移的電動(dòng)機(jī)。對(duì)于步進(jìn)電機(jī)，每輸入一個(gè)脈沖信號(hào)，轉(zhuǎn)子就轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度或前進(jìn)一步。其輸出的角位移或線位移與輸入的脈沖數(shù)成正比，轉(zhuǎn)速與脈沖頻率成正比。因此，步進(jìn)電動(dòng)機(jī)又稱脈沖電動(dòng)機(jī)。下面看一個(gè)簡(jiǎn)單的雙極電機(jī)...
步進(jìn)電機(jī)脈沖信號(hào) 2024-10-08

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)外形、等效結(jié)構(gòu)與符號(hào)

IGBT的外形、等效結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖7-17所示，從等效結(jié)構(gòu)圖中可以看出，IGBI相當(dāng)于一個(gè) PNP 型三極管和增強(qiáng)型 NMOS 管以圖 7-17(b)所示的方式組合而成。IGBT有三個(gè)極:C極(集電極)、G極(柵極)和E極(發(fā)射極)。圖 7-17中的IGBT是由PNP型三極管和N溝道MOS管組合而成，這種IGBT稱作N-IGBT,用圖7-17(c)所示符...
絕緣柵雙極型晶體管 2024-09-02

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電...
SiC物理特性 2024-08-30

什么是IGBT的退飽和（desaturation）？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？

如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到IGBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分：1、關(guān)斷區(qū)：CE間電壓小于一個(gè)門檻電壓，即背面PN結(jié)的開(kāi)啟電壓，IGBT背面PN結(jié)截止，無(wú)電流流動(dòng)。2、飽和區(qū)：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開(kāi)始流動(dòng)，CE間電壓隨著集電極電流上...
IGBT英飛凌 2024-08-27

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