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新興存儲技術(shù)的最新進(jìn)展

來源：內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank）編譯自forbesIEEE 國際電子設(shè)備會議 (IEDM) 始終是有關(guān)固態(tài)技術(shù)，特別是固態(tài)存儲器和存儲最新發(fā)展的有趣信息的來源。讓我們看看 2022 IEDM 上新興非易失性存儲器的一些發(fā)展。三星研究人員介紹了有關(guān) 28 納米嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲器 (MRAM) 技術(shù)的信息。該器...
MRAM存儲技術(shù) 2023-01-28

Avant：解鎖FPGA創(chuàng)新新高度

過去3年來，盡管客戶十分認(rèn)可萊迪思 (Lattice) Nexus FPGA平臺在低功耗領(lǐng)域做出的種種創(chuàng)新，但在與他們的交流過程中，我們發(fā)現(xiàn)除功耗外，性能和尺寸也日益成為客戶關(guān)注的關(guān)鍵要素。幸運的是，這些與萊迪思最擅長的領(lǐng)域完全吻合。于是，基于Nexus平臺取得的一系列創(chuàng)新成果，萊迪思推出了全新低功耗中端A...
AvantFPGA萊迪思 2022-12-28

異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級芯片 (SoC) 有何區(qū)別？

異構(gòu)集成 (Heterogeneous integration，HI) 和系統(tǒng)級芯片 (System on Chip，SoC) 是設(shè)計和構(gòu)建硅芯片的兩種方式。異構(gòu)集成的目的是使用先進(jìn)封裝技術(shù)，通過模塊化方法來應(yīng)對 SoC 設(shè)計日益增長的成本和復(fù)雜性。在過去的 20 年里，Cadence 一直支持電子行業(yè)以SoC方式幫助我們的客戶追求更大的晶體管密度并...
異構(gòu)集成3D－ICSoC 2022-12-20

巔峰對決：三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？

圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實踐和經(jīng)濟(jì)極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。在代工行業(yè)，采用先進(jìn)的工藝節(jié)點更能帶來明顯的成本競爭優(yōu)勢。2020年...
GAA芯片技術(shù)CMOS工藝 2022-11-28

談?wù)劅衢T的氧化鎵

超寬帶隙半導(dǎo)體有望成為大功率晶體管高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和...
氧化鎵大功率晶體管 2022-11-25

下一代晶體管有什么不同

經(jīng)過近十年和五個主要節(jié)點以及大量半節(jié)點之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 finFET 過渡到 3nm 技術(shù)節(jié)點的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。相對于 finFET，納米片晶體管通過在相同電路占位面積中增加溝道寬度來提供更多驅(qū)動電流。環(huán)柵設(shè)計改善了通道控制并最大限度地減少了短通道效應(yīng)。圖 1：在納米片晶體管中，...
納米片晶體管3nm 技術(shù)節(jié)點 2022-11-03

小基站元器件的大玩家迎來高光時刻

自2019年6月5G商用牌照發(fā)布以來，中國5G建設(shè)已經(jīng)取得舉世矚目的成就。中國工信部數(shù)據(jù)顯示，截至2022年6月底，中國5G基站已部署185.4萬個，5G用戶數(shù)超過4.5億，中國已建成全球規(guī)模最大的5G網(wǎng)絡(luò)，已開通5G基站占全球5G基站總數(shù)的60%以上，登錄5G網(wǎng)絡(luò)的用戶占全球5G登網(wǎng)用戶的70%以上。目前，中國5G網(wǎng)絡(luò)已...
小基站元器件5G網(wǎng)絡(luò) 2022-10-26

小基站元器件的大玩家迎來高光時刻？

自2019年6月5G商用牌照發(fā)布以來，中國5G建設(shè)已經(jīng)取得舉世矚目的成就。中國工信部數(shù)字顯示，截至2022年6月底，中國5G基站已部署185.4萬個，5G用戶數(shù)超過4.5億，中國已建成全球規(guī)模最大的5G網(wǎng)絡(luò)，已開通5G基站占全球5G基站總數(shù)的60%以上，登錄5G網(wǎng)絡(luò)的用戶占全球5G登網(wǎng)用戶的70%以上。目前，中國5G網(wǎng)絡(luò)已...
小基站元器件無線基站 2022-10-21

SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

作者：泛林集團(tuán)公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理 Aaron Fellis 芯片已經(jīng)無處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)...
SPARCDRAM沉積技術(shù) 2022-10-09

淺談UCIe對解決多芯片系統(tǒng)的設(shè)計

作者：編譯semiwikiUCIe 是唯一為芯片到芯片接口定義完整堆棧的規(guī)范。在過去幾年中，專用 IC 以及高性能 CPU 和其他復(fù)雜 IC 的設(shè)計遇到四個問題。第一，芯片尺寸變得如此之大，以至于它們可以填滿整個掩模掩模版，這可能會限制未來的增長。第二，大芯片尺寸會影響制造良率，通常會導(dǎo)致大...
UCIe多芯片系統(tǒng) 2022-10-09

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