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美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計算需求

美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設(shè)計的1γ（1-gamma）第六代（10納米級）DRAM節(jié)點DDR5內(nèi)存樣品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM節(jié)點的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應(yīng)用...
dram美光 2025-02-28

旨在降低生成式人工智能系統(tǒng)DRAM需求的KIOXIA AiSAQ技術(shù)以開源軟件形式發(fā)布

軟件技術(shù)通過使用固態(tài)硬盤提高了RAG工作流程中矢量數(shù)據(jù)庫的擴展性和準確性世界領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布開源發(fā)布其新的全存儲ANNS乘積量化（AiSAQ）技術(shù)(1)。KIOXIA AiSAQ™軟件采用針對固態(tài)硬盤優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索（ANNS）算法，可為檢索增強...
Kioxia人工智能系統(tǒng)DRAM 2025-02-07

美光計劃投資21.7億美元擴建美國DRAM工廠

據(jù)報道，美國弗吉尼亞州州長格倫・楊金表示，美光計劃投資21.7億美元（約合人民幣158.76億元）擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的半導(dǎo)體工廠。該項目將對該設(shè)施進行升級，以生產(chǎn)用于工業(yè)、汽車、航空航天和國防應(yīng)用的特種DRAM存儲器。美光沒有提及升級晶圓廠的具體計劃，以及它將為生產(chǎn)設(shè)施增加多少...
美光DRAM工廠 2025-01-02

鎧俠宣布用于氧化物半導(dǎo)體的DRAM內(nèi)存的OCTRAM技術(shù)

從服務(wù)器到個人電腦，再到帶獨立緩存的固態(tài)硬盤，高效的易失性存儲DRAM內(nèi)存都是不可或缺的重要加速方案之一。鎧俠在近日宣布，已開發(fā)出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導(dǎo)體晶體管 DRAM）技術(shù)，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的...
鎧俠DRAMOCTRAM 2024-12-30

Kioxia開發(fā)出OCTRAM（氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM）技術(shù)

存儲器解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今天宣布開發(fā)出OCTRAM（氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM），這種新型4F2 DRAM由同時具有高導(dǎo)通電流和超低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。該技術(shù)有望通過發(fā)揮InGaZnO*1晶體管的超低泄漏特性來實現(xiàn)低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日于加州舊金...
KioxiaOCTRAMDRAM 2024-12-12

三星平澤P4確認生產(chǎn)第六代DRAM，預(yù)計明年6月投運

三星電子已確認正準備在其平澤P4工廠引入DRAM處理設(shè)備，建設(shè)1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并計劃于明年6月開始運營，旨在提升HBM4內(nèi)存的能效競爭力。據(jù)悉，平澤P4是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為NAND閃存生產(chǎn)，二期為邏輯代工，三期、四期將專注于DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)。目前，三星已在...
三星第六代DRAM 2024-08-13

三星計劃 2025 年后在業(yè)界率先進入 3D DRAM 內(nèi)存時代

據(jù)外媒 Semiconductor Engineering 報道，三星電子在行業(yè)會議 Memcon 2024 上表示計劃于 2025 年后在業(yè)界率先進入 3D DRAM 內(nèi)存時代。DRAM 內(nèi)存行業(yè)將于本十年后期將線寬壓縮至 10nm 以下。而在如此精細的尺度下，現(xiàn)有設(shè)計方案難以進一步擴展，業(yè)界因此正在探索包括 3D DRAM 在內(nèi)的多種創(chuàng)新型內(nèi)存設(shè)計。...
三星3D DRAM 內(nèi)存 2024-04-02

三星考慮將 MUF 技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存

據(jù) TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內(nèi)存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。經(jīng)過測試，該公司得出結(jié)論，MUF 不適用于高帶寬內(nèi)存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用...
MUFDRAM 內(nèi)存 2024-03-04

美光將在西安封測工廠投資逾 43 億元，引入新產(chǎn)線制造 DRAM、NAND 及 SSD

美光科技今天宣布，計劃在未來幾年中對其位于中國西安的封裝測試工廠投資逾 43 億元人民幣。公告稱，美光科技已決定收購力成半導(dǎo)體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設(shè)備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，并引進全新且高性能的封裝和測試設(shè)備，以期更好地滿足中國客戶的需求。美光科技表示：“該項...
美光西安封測工廠投資DRAMNANDSSD 2023-06-16

三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

三星電子最新推出的DRAM將以更高的能效和生產(chǎn)率，優(yōu)化人工智能應(yīng)用在內(nèi)的下一代計算今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。 "采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的...
三星電子DDR5－DRAM 2023-05-18

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