三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
對某塑封器件進行破壞性物理分析(DPA),發現芯片表面存在玻璃鈍化層裂紋和金屬化層劃傷的缺陷。對缺陷部位進行掃描電子顯微鏡(SEM)檢查和能譜(EDS)分析,通過形貌和成分判斷其形成原因為開封后的超聲波清洗過程中,超聲波振蕩導致環氧塑封料中的二氧化硅填充顆粒碰撞擠壓芯片表面,從而產生裂紋。最后,... (來源:技術文章頻道)
超聲波清洗 2025-5-19 11:03
吞吐量仍然是一個問題,解決方案需要多種技術的結合。 事實證明,電子束檢測對于發現 5 納米以下尺寸的關鍵缺陷至關重要。現在的挑戰是如何加快這一流程,使其在經濟上符合晶圓廠的接受度。 電子束檢測因靈敏度和吞吐量之間的權衡而臭名昭著,這使得在這些先進節點上利用電子束進行全面缺陷覆蓋尤... (來源:技術文章頻道)
電子束 2025-5-14 09:49
本文要點• 在提升電子設備性能方面,2.5D 和 3D 半導體封裝技術至關重要。這兩種解決方案都在不同程度提高了性能、減小了尺寸并提高了能效。• 2.5D 封裝有利于組合各種器件并減小占用空間,適合高性能計算和 AI 加速器中的應用。• 3D 封裝提供了出色的集成度,高效的散熱和更短的互連... (來源:技術文章頻道)
封裝 3D 封裝 2024-12-9 11:02
在半導體制程技術的前沿,英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃,加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天,我們將介紹英特爾的兩項突破性技術:RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點,也將用于Intel 18A。RibbonFET:柵極“... (來源:技術文章頻道)
晶體管 Intel-18A 英特爾 RibbonFET 2024-9-13 10:30
作者:Bill Schweber 來源:得捷電子DigiKey充電電池正越來越多地用于更高的電壓和更大的功率,其應用包括電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV)、電動工具、草坪清理設備和不間斷電源。眾所周知,雖然任何一種化學制品都需要仔細監測和管理,以確保有效、可靠和安全的操作,但為了滿足這些車輛或設... (來源:技術文章頻道)
電池管理 串聯電池 2024-4-23 10:48
本文要點:. 阻抗決定信號的傳播行為,互連器件上的每個功能元件都有一定的阻抗。. 對于差分信號,過孔會有自己的差分阻抗,就像差分對中的走線具有特定的阻抗一樣。. 影響差分對過孔阻抗的因素,會影響在過孔處觀察到的輸入阻抗。高速 PCB 和信號標準對差分對的使用幾乎都有如下要求:精確的阻抗、長度... (來源:技術文章頻道)
PCB 過孔阻抗 2024-2-4 13:10
幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結構進行3nm后段集成的工藝假設 作者:泛林集團Semiverse™ Solution部門半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進,后段模塊處理迎來挑戰• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電... (來源:技術文章頻道)
半大馬士革集成空氣間隙結構 2023-12-18 15:36
對于工業過程控制儀表,4-20 mA 電流環路廣泛用于維持適當的電流,直至系統的電壓能力。電流環路的主要特征包括盡管互連線路中存在壓降,仍能夠保持信號的準確性,以及為設備提供工作電源的能力。該參考設計展示了如何開發適用于工業過程控制和智能傳感器的高性能、高電壓 2 線或 3 線 4-20mA 電流環路... (來源:技術文章頻道)
電流環發送器 2023-10-11 10:36
作者:Bill Schweber雖然我很喜歡焊接,制作美觀的高質量焊點,但也明白焊接有時候并不是連接電線或將電線連接至端子的正確方法。最近,當我幫助一位朋友將他家的三區供暖系統從基本的非供電型簡易恒溫器升級為支持 Wi-Fi 功能的智能設備時,我意識到了這一點。我最初的安裝計劃是,在各種連接線(包括... (來源:技術文章頻道)
工具壓接端接 2023-8-29 11:13