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作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
單器件雙向控制，開啟無限可能 作者：Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
Microchip Technology Inc. 高功率解決方案業務部 資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電... （來源：技術文章頻道）
SiC熔絲保護高壓電氣電子熔絲 2025-6-30 16:00
作者：Prasad Paruchuri，安森美技術營銷部 隨著技術的不斷進步，我們如今能夠研發出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長且充電速度更快的電池。 在道路上，由電池驅動的車輛數量日益增多。在家庭中，從手持電動工具到割草機，各類設備都已實現無線化。在建筑領域，錘鉆、沖擊扳手、... （來源：技術文章頻道）
電池供電安森美 2025-5-23 11:55
常規開關（例如MOSFET或IGBT）通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如，使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管，可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流，但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背（B2B）配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻（... （來源：技術文章頻道）
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者：Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部 高級首席系統架構師前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺G... （來源：技術文章頻道）
升級電源機架架構AI服務器 2025-2-24 14:21
作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球... （來源：技術文章頻道）
GaN技術可再生能源 2024-12-23 13:01
許多無法連接市電的嵌入式系統通常會采用電池供電，但當電池電量用完時，更換電池的維護成本相對較高，并造成相當多的困擾，若能通過能量收集技術來為系統永續供電，便可解決這個問題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術來建立永久運行的嵌入式系統，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關解決方... （來源：技術文章頻道）
能量收集 嵌入式系統 芯科科技 EFR32MG22 2024-11-11 11:05
二極管交流開關（簡稱Diac ）是另一種固態、三層、雙結半導體器件，但與晶體管不同，Diac沒有基極連接，這使其成為兩端器件，標記為 A 1和 A 2。雙向二極管是一種電子元件，它不提供控制或放大功能，但其作用類似于雙向開關二極管，因為它們可以從合適的交流電壓源的任一極性傳導電流。在我們關于SCR和... （來源：技術文章頻道）
二極管交流開關雙向交流開關 2024-9-3 10:50
為了滿足應用的要求，為PFC選擇的拓撲結構是一個重要考慮因素，它們將決定整體的解決方案和性能。此外，并非所有拓撲結構都可以滿足所有要求，就像并非所有拓撲結構都支持三電平開關或雙向性。之前我們介紹過三相功率因數校正系統的優點和設計三相PFC時的注意事項，本文將介紹一些常見的三相拓撲結構并... （來源：技術文章頻道）
整流器 三相拓撲 安森美 2024-1-4 10:25
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