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全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關(guān)——650 V CoolGaN™ G5雙向開關(guān)(BDS)。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計和雙柵極結(jié)構(gòu),是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術(shù)和... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G5雙向開關(guān) 2025-5-26 13:28
常規(guī)開關(guān)(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導(dǎo)電狀態(tài)和反向阻塞狀態(tài)。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導(dǎo)。這允許反向傳導(dǎo)流,但沒有任何門控制。這些設(shè)備通常可以通過在背對背(B2B)配置中使用這些設(shè)備中的兩個設(shè)備來實現(xiàn)可開關(guān)的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來源:技術(shù)文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開關(guān) 2025-4-17 09:13
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應(yīng)對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應(yīng)單元(PSU)電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。作者:Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部 高級首席系統(tǒng)架構(gòu)師前言人工智能(AI)的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示,英飛凌預(yù)測單臺G... (來源:技術(shù)文章頻道)
升級電源機架架構(gòu)AI服務(wù)器 2025-2-24 14:21
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者,氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域,再次推動了氮化鎵革命,率先成功開發(fā)出了全球首... (來源:新品頻道)
英飛凌 氮化鎵晶圓 2024-12-9 10:26
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出兩項全新的CoolGaN™產(chǎn)品技術(shù):CoolGaN™雙向開關(guān)(BDS)和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS擁有出色的軟開關(guān)和硬開關(guān)性能,提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關(guān),適用于移動設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變... (來源:新品頻道)
英飛凌 CoolGaN雙向開關(guān) CoolGaN Smart Sense 2024-7-10 08:37
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