全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關（BDS）。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
常規開關（例如MOSFET或IGBT）通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如，使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管，可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流，但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背（B2B）配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻（... （來源：技術文章頻道）
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者：Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部 高級首席系統架構師前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺G... （來源：技術文章頻道）
升級電源機架架構AI服務器 2025-2-24 14:21
作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首... （來源：新品頻道）
英飛凌 氮化鎵晶圓 2024-12-9 10:26
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出兩項全新的CoolGaN™產品技術：CoolGaN™雙向開關（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關，適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變... （來源：新品頻道）
英飛凌 CoolGaN雙向開關 CoolGaN Smart Sense 2024-7-10 08:37
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