前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
作者:安森美 在科技演進(jìn)浪潮中,能源技術(shù)已逐漸成為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。從移動(dòng)設(shè)備到云服務(wù)器,從電動(dòng)車到智慧城市,科技產(chǎn)品日益強(qiáng)調(diào)效能、速度與可持續(xù)能源的平衡,而這一切的背后都需要更高效、更穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。 隨著各種應(yīng)用對(duì)能源效率與功率密度的要求不斷提高,傳... (來源:技術(shù)文章頻道)
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統(tǒng)Si器件已逼近材料極限,成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關(guān)速度、高結(jié)溫下同時(shí)承受高壓大電流等特性,可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本,特別適... (來源:技術(shù)文章頻道)
車載電驅(qū)RIGOL功率半導(dǎo)體 2025-7-31 10:20
單器件雙向控制,開啟無限可能 作者:Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對(duì):宋清亮英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場總監(jiān) 電力電子技術(shù)在過去幾十年間經(jīng)歷了巨... (來源:技術(shù)文章頻道)
氮化鎵開關(guān)電力電子 2025-7-10 13:13
摘要: 以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號(hào)傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜,容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜,開口較大,有利于膜層沉積和銅電鍍填充,可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對(duì)易于實(shí)... (來源:技術(shù)文章頻道)
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例,我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì),兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間,但分立MOSFET卻能帶來獨(dú)特優(yōu)勢(shì):設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無法滿足功率需求時(shí),再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而,功率... (來源:技術(shù)文章頻道)
意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET 并聯(lián) 2025-6-20 10:30
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。 雙脈沖測(cè)試的目標(biāo)參數(shù)... (來源:技術(shù)文章頻道)
泰克功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試 2025-6-18 09:49
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)因其高頻高效特性被譽(yù)為 “下一代開關(guān)器件的核心”,這一技術(shù)如今已經(jīng)通過快充進(jìn)入到了千家萬戶,但如何持續(xù)發(fā)揮出氮化鎵的功率優(yōu)勢(shì),在不同領(lǐng)域都實(shí)現(xiàn)如快充頭一樣的普及,一直是行業(yè)難題。 德州儀器(TI)日前推出了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL封裝的GaN LMG365x,滿足... (來源:技術(shù)文章頻道)
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
作者:陳子穎,鄭姿清;來源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景,然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)器... (來源:技術(shù)文章頻道)
電路設(shè)計(jì) 米勒鉗位 英飛凌 2025-4-15 11:00
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... (來源:技術(shù)文章頻道)
EMI 噪聲源Buck 變換器EMI 模型 2025-2-27 14:00
作者: Alan Yang文章概述SiC MOSFET因其獨(dú)特的物理和電氣性能,在電源、電動(dòng)車和太陽能逆變器等高要求應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文深入探討了SiC的基本特性、優(yōu)勢(shì)、減少體積以及加速其研發(fā)的方法,并通過SiC MOSFET電源模塊方案來進(jìn)行實(shí)例分析,旨在為相關(guān)設(shè)計(jì)提供有益的參考與指導(dǎo)。碳化硅(SiC)作為一種新... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 SiC器件 2024-12-2 15:24
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺(tái)
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號(hào)-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號(hào)
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099