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納芯微正式推出車規(guī)級隔離半橋驅(qū)動芯片NSI6602MxEx系列，該系列在納芯微明星產(chǎn)品NSI6602基礎(chǔ)上，集成了米勒鉗位功能，同時兼具高隔離電壓、低延時、死區(qū)可配、欠壓閾值可選等特點，適用于驅(qū)動SiC、IGBT等器件，可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... （來源：新品頻道）
納芯微NSI6602MxEx驅(qū)動芯片半橋 2025-7-14 15:59
作者：陳子穎，鄭姿清；來源：英飛凌工業(yè)半導體驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細講解如何正確理解和應用驅(qū)動器... （來源：技術(shù)文章頻道）
電路設(shè)計 米勒鉗位 英飛凌 2025-4-15 11:00
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等... （來源：新品頻道）
東芝驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合TLP5814 2025-3-6 15:02
作者：陳子穎 鄭姿清 驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅(qū)動器的功能。 每一個功率開關(guān)都需要一個驅(qū)動器，功率... （來源：技術(shù)文章頻道）
驅(qū)動電路設(shè)計功率半導體應用 2025-2-13 13:17
全球能源行業(yè)正處在一場持續(xù)而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉(zhuǎn)變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網(wǎng)、儲能系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展，進一步掃清了可再生能源部署和應用的障礙，其未來的發(fā)展勢頭將更為迅猛。 根據(jù)國際能源署（IE... （來源：技術(shù)文章頻道）
太陽能光伏逆變器儲能系統(tǒng) 2025-2-3 09:10
作者：陳子穎，來源：英飛凌工業(yè)半導體 前言 功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)... （來源：技術(shù)文章頻道）
英飛凌功率半導體熱設(shè)計 2025-1-22 14:00
基于 SiC 器件的電機驅(qū)動 工業(yè)電機驅(qū)動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電動機占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅(qū)動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC 三相電機驅(qū)動開發(fā) 2025-1-20 10:58
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級（滿足 AEC-Q100 標準）和工規(guī)等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應用場景。該系列隔離柵極驅(qū)動器，將一路帶有隔離模擬轉(zhuǎn)PWM采樣功能的傳感器，等效為單... （來源：新品頻道）
納芯微 NSI67X0 隔離柵極驅(qū)動器 2024-12-11 11:00
雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅(qū)動器與CGD易于使用的ICeGaN IC結(jié)合于新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注于研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率組件的半導體公司，致力于打造更環(huán)保的電子組件。近日，該公司與全球領(lǐng)先的連接... （來源：新聞頻道）
CGD Qorvo 電機控制解決方案 2024-11-15 09:42
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應用的功率控制意法半導體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采... （來源：新聞頻道）
意法半導體 電隔離柵極驅(qū)動器 IGBT SiC MOSFET 2024-11-13 13:02
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