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GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數(shù)測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來評估半導體器件性能的基礎(chǔ)測試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發(fā)人員設計器件的驅(qū)動電路具有重要的指... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN HEMT器件測試 寬禁帶器件測試 2023-7-11 10:45
MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 電 路當 中 。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸 入 / 輸 出 特 性 曲 線、閾 值 電 壓 VGS... （來源：技術(shù)文章頻道）
MOS管 數(shù)字源表 2022-12-12 10:19
霍爾效應測試 霍爾效應是一種電磁感應現(xiàn)象，當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，如下圖所示。霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。 霍爾效應 霍爾電壓首先我們測試霍爾電壓VH，按下... （來源：技術(shù)文章頻道）
數(shù)字源表 半導體霍爾效應 2022-12-5 09:37
一、納米發(fā)電機介紹： 納米發(fā)電機是基于規(guī)則的氧化鋅納米線，在納米范圍內(nèi)將機械能轉(zhuǎn)化成電能，是世界上最小的發(fā)電機。 目前納米發(fā)電機可以分為三類：壓電納米發(fā)電機、摩擦納米發(fā)電機、熱釋電納米發(fā)電機。應用領(lǐng)域：醫(yī)學、軍事、無線通信、無線傳感。 二、測試難點： 由于納米發(fā)電自身的技術(shù)... （來源：技術(shù)文章頻道）
數(shù)字源表納米發(fā)電電能 2020-6-3 16:16
與芯片設計強國相比，中國的芯片設計能力無疑相對弱小。但近年來，我國的芯片設計正處于上升階段。為增進大家對芯片設計流程的了解，本文特地帶來芯片設計之反向設計過程的介紹，正式內(nèi)容如下。 一、反向設計詳細介紹 現(xiàn)代IC產(chǎn)業(yè)的市場競爭十分激烈，所有產(chǎn)品都是日新月異，使得各IC設計公司必須不... （來源：技術(shù)文章頻道）
芯片設計反向設計內(nèi)部電路 2019-11-20 14:30
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