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隨著價(jià)格下探和速度的不斷提升,固態(tài)硬盤逐漸將機(jī)械硬盤踢出了玩家的攢機(jī)單。不過如果覺得固態(tài)硬盤只看速度就行,那你可就錯(cuò)了,固態(tài)硬盤的閃存顆粒可以說是最不能忽視的。那么閃存顆粒怎么選呢?答案就是選原廠顆粒。 原廠顆粒,即由具備自主研發(fā)、生產(chǎn)能力的閃存芯片制造大廠生產(chǎn)的閃存顆粒。全球... (來源:技術(shù)文章頻道)
固態(tài)硬盤 2025-9-5 09:06
在當(dāng)前的AI浪潮下,新建一座晶圓廠到底需要多少錢? 今年3月,全球半導(dǎo)體代工巨頭臺積電(TSMC)宣布,將追加1,000億美元投資美國市場,用于在亞利桑那州鳳凰城新建三座先進(jìn)制程晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠及一座研發(fā)中心,形成從制造到封測的完整鏈條,加上已在當(dāng)?shù)赝顿Y650億美元建設(shè)兩座晶圓廠使其在美... (來源:技術(shù)文章頻道)
AI 晶圓廠 2025-9-1 11:54
本文作者:中國科學(xué)院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學(xué)朱煜、集成電路裝備創(chuàng)新聯(lián)盟張國銘、集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟杜曉黎、集成電路零部件創(chuàng)新聯(lián)盟雷震霖 面向“十五五”,我國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)封鎖與供應(yīng)鏈脫鉤的雙重挑戰(zhàn),需從“追趕替代”轉(zhuǎn)向“路徑創(chuàng)新... (來源:技術(shù)文章頻道)
半導(dǎo)體裝備 2025-6-13 13:22
作者:Catherine De Keukeleire,安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。 第三代寬禁帶(WBG)解... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 2025-5-16 11:03
簡介 本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗(yàn)證,為硬開關(guān)應(yīng)用... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅技術(shù)Wolfspeed 2025-2-19 14:00
1.前言 近年來,全球耗電量逐年增加,在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外,以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)所產(chǎn)生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此,為了實(shí)現(xiàn)零碳社會,努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。 在這種背景下,羅姆致力于通過... (來源:技術(shù)文章頻道)
羅姆Power功率半導(dǎo)體電源 2025-1-15 13:13
本文作者:Catherine De Keukeleire,安森美(onsemi)寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān)從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV),它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 安森美 SiC 2024-12-4 14:03
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小,因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)(形成pn結(jié))。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù):在... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC 三菱電機(jī) 2024-11-14 10:45
SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個(gè)長時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出,經(jīng)過多個(gè)加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶(也稱為... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC單晶 晶圓制造三菱電機(jī) 2024-10-21 10:29
在本系列第七篇文章中,介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外,本文還將介紹應(yīng)用于這... (來源:技術(shù)文章頻道)
晶圓級封裝 工藝流程 2024-6-28 10:12
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