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本文要點• 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。• 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。• 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN Cadence 2024-7-3 11:02
GaN 是一種二元化合物，由一個鎵原子（III 族，Z = 31）和一個氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結構。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學鍵結合在一起，從而產生很大的能帶隙。這一特性使 GaN 非常穩定，非常適合在高溫和惡劣環境下工作。用這種技術制造的晶體管（通常具有橫向結構）稱為高... （來源：技術文章頻道）
GaN 晶體管 2024-6-26 09:57
電機驅動器運行的惡劣環境可能會因逆變器擊穿和電機繞組絕緣擊穿等故障情況而導致過流水平。功率器件需要在保護檢測電路觸發和關閉電機驅動所需的時間內承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征：高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT 功率器件 2024-5-15 09:43
高保真聲音再現發燒友是氮化鎵（GaN）基本質量的最新受益者，因為它使這些發燒友在充滿挑戰的環境中得到了喘息。GaN解決了他們關于最佳家庭音頻設置構成的難題。音頻放大器的基本類別是A類，AB類和B類，它們利用其晶體管的線性區域，同時嘗試以最小的失真來重建完美的輸入音頻信號。已經表明，這種設計... （來源：技術文章頻道）
GaN D類放大器 音頻放大器 2024-1-9 10:30
作者：Bill Schweber我得承認一件事。我在電子行業工作多年，既是一名電路設計師，也是一名編輯。我發現包括我在內的大多數工程師對半導體材料、工藝和制造技術的深層細節并不感興趣。當然，有些人是為了每年的國際固態電路會議 (IEEE ISSCC) 而不懈努力，他們關心工藝細節和創新，他們的工作非常之重要... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT 電源效率 2024-1-3 11:03
相信你們在設計電路中經常會碰到有時序要求的電路，比如說FPGA數字電路的供電，比如我們給模擬放大器的供電，等等。通常來說，我們有sequencers這種產品，其中又分為模擬時序控制芯片和數字時序控制芯片；模擬時序控制芯片，將電源輸出電壓作為輸入信號，實時監測電源輸出，當電源輸出達到閾值時，會給... （來源：技術文章頻道）
LDO的放大器 ADM1085 2023-10-25 11:32
常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質優勢對比之簡短指南氮化鎵功率半導體器件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用增強型晶體管。... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵晶體管 半導體 2023-10-18 10:34
隨著半導體器件的應用越來越廣泛，制造高能效產品成為研究人員和制造商的首要關注點。 肖特基勢壘二極管 (SBD) 是引起研究人員和制造商興趣以實現高功率和高溫應用目標的一個關鍵組件。由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業界采用寬帶隙材... （來源：技術文章頻道）
二極管寬帶隙材料 2023-4-27 09:17
作者： Art Pini面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 電源管理 GaN FET 2023-4-6 09:43
作者：南敬昌，黎淑蘭，劉元安，唐碧華，來源：趨勢與展望對當前各種類型射頻微波晶體管的結構特點、性能和應用情況進行了分析和綜述。對晶體管的發展歷史進行了全面而細致的回顧，指明了今后射頻微波晶體管的發展特點和發展趨勢，得出了射頻微波晶體管的選型原則。1 引 言半導體技術的發展，促進... （來源：技術文章頻道）
功率器件 射頻微波晶體管 2022-10-21 13:21
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