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↓在 技術(shù)文章 中搜索到 49 條關(guān)于“5nm”的信息，用時:0.003 sec.

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

作者：半導(dǎo)體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術(shù)推進到1.5nm及更先進節(jié)點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試...
半大馬士革工藝流程后段器件集成 2023-10-20

線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進節(jié)點上半導(dǎo)體的性能

與泛林一同探索先進節(jié)點上線邊緣粗糙度控制的重要性作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導(dǎo)致更高的金屬線...
線邊緣粗糙度(LER)先進節(jié)點芯片 2023-06-12

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性

自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放大器和模擬乘法器的理想選擇。此外，它們還可以用作可變反饋元件。由于 FET 在控制電路和 JFET 電壓表設(shè)計中的互調(diào)失真，因此在混合電路...
場效應(yīng)晶體管FET 對短溝道效應(yīng) 2023-04-07

SiPM傳感器提升LiDAR的性能表現(xiàn)

LiDAR（激光雷達）是一種測距技術(shù)，越來越多地用于移動測距、汽車ADAS（高級駕駛員輔助系統(tǒng)）、手勢識別和3D映射等應(yīng)用，市場發(fā)展?jié)摿O為驚人。本文將為您介紹LiDAR的發(fā)展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的硅光電倍增管（SiPM）直接飛行時間（dToF）LiDAR平臺開發(fā)套件。LiDAR采用ToF技術(shù)來測量距離...
LIDAR傳感器SiPM 2023-03-03

使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發(fā)生負載效應(yīng)...
FinFET技術(shù)虛擬實驗設(shè)計 2023-01-13

半導(dǎo)體前端工藝：第三篇光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

繪制精細電路的第一步金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。可見，制造更小的MOSFET成了關(guān)鍵因素，并且想制成微細的電路，第一步...
半導(dǎo)體光刻 2023-01-12

巔峰對決：三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？

圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經(jīng)濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。在代工行業(yè)，采用先進的工藝節(jié)點更能帶來明顯的成本競爭優(yōu)勢。2020年...
GAA芯片技術(shù)CMOS工藝 2022-11-28

開啟超級計算性能的大門

不斷增加的計算工作復(fù)雜性和負載多樣性需要巨大的處理能力。無論是用于云計算數(shù)據(jù)中心還是本地應(yīng)用，新一代處理器都能提高吞吐量、降低時延。然而處理器的發(fā)展需要供電的發(fā)展。因此，電源往往限制了獲得最高處理器性能的能力。數(shù)據(jù)中心需求旺盛近期疫情使網(wǎng)上購物、流媒體和居家辦公激增，超大型服務(wù)及...
超級計算處理器技術(shù) 2022-11-14

處理器技術(shù)進一步開啟超級計算性能的大門

作者：Doug Ping不斷增加的計算工作復(fù)雜性和負載多樣性需要巨大的處理能力。無論是用于云計算數(shù)據(jù)中心還是本地應(yīng)用，新一代處理器都能提高吞吐量、降低時延。然而處理器的發(fā)展需要供電的發(fā)展。因此，電源往往限制了獲得最高處理器性能的能力。數(shù)據(jù)中心需求旺盛近期疫情使網(wǎng)上購物、流媒體和居家辦公激增...
處理器技術(shù)超級計算 2022-09-13

5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導(dǎo)體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合...
FinFET平臺電路仿真5nm晶體管 2022-05-05

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