前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備，以及最近備受關(guān)注的未來“元宇宙”重要場景入口設(shè)備的AR/VR等消費(fèi)類終端的創(chuàng)新發(fā)展，對光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價(jià)比要求也越來越高。在最近落下帷幕的第23屆中國國際光電博覽會（以下簡稱CIOE2021）上，業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商... （來源：技術(shù)文章頻道）
生物識別技術(shù) ALD光學(xué)鍍膜應(yīng)用 G通訊技術(shù) 顯示設(shè)備 2021-9-26 11:15
隨著中國“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對于“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)達(dá)成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體新材料憑借高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性，成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明... （來源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種，是當(dāng)下... （來源：技術(shù)文章頻道）
薄膜沉積設(shè)備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導(dǎo)航 手機(jī)中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到3條【Beneq】相關(guān)的技術(shù)文章。
薄膜沉積設(shè)備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45
查看關(guān)鍵詞的分類頻道
中電網(wǎng)官方微博