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↓在 技術文章 中搜索到 770 條關于“FET”的信息，用時:0.003 sec.

革新ZVS軟開關技術，Qorvo SiC FET解鎖高效率應用潛能

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關損耗一直是影響電力電子設備性能的關鍵因素之一，也成了人們對高效率追求路上的攔路虎。面對這一挑戰，盡管電力電子工程師們早就掌握了理...
ZVS軟開關技術QorvoSiC FET 2024-07-26

基于 GaN 的 FET 如何實現高性能電機逆變器

推動更高效的能源利用、更嚴格的監管要求以及冷卻器操作的技術優勢都支持了近減少電動機功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開關技術已得到廣泛應用，但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標。相反，設計人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來實現這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術，...
GaNFET電機逆變器 2024-05-31

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優勢對比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中...
QorvoSiC FETSiC MOSFET 2024-04-25

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

作者：Kenton Williston激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W。通用解決...
自主駕駛LiDARGaN FET 2024-02-27

汽車 GaN FET 專為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設計

電動汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 正在經歷快速變化，它允許消費者直接通過家里或公共或商業網點的交流電源為電池充電。提高充電速率的需要導致功率水平從 3.6 kW 增加到 22 kW，但與此同時，OBC 必須安裝在現有的機械外殼內，并始終由汽車攜帶，而不影響行駛里程。，有人提出將 OBC 功率密度從 4 kW/L ...
汽車 GaN FETHEV／EV 2024-01-02

SiC FET的脈沖電流能力量化

作者：Qorvo功率器件高級工程經理Pete Losee寬帶隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的級聯和共封裝硅MOSFET，正在引領降低半導體開關功率損耗的競賽。這種安排產生了一個常關器件，帶有一個簡單的柵極驅動器和一個由“品質因數”組成的獎杯柜，擊敗了所有競爭技術。對于給定電壓等級的器件RDS(A...
QorvoSiC FET碳化硅UJ4SC075005L8S 2023-11-30

給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？

作者：Qorvo應用工程師Mike ZhuSiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互...
SiC FET設計PCB 2023-09-22

以更小封裝實現更大開關功率，Qorvo SiC FET如何做到的？

本文作者：David Schnaufer，Qorvo技術營銷傳播經理每隔一段時間便會偶爾出現全新的半導體開關技術；當這些技術進入市場時，便會產生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。與傳統硅基產品相比，這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方...
SiC FET碳化硅氮化鎵 2023-09-04

柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

自從在現代電子產品中引入場效應晶體管 (FET) 以來，理論和應用電路技術已經取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放大器和模擬乘法器的理想選擇。此外，它們還可以用作可變反饋元件。由于 FET 在控制電路和 JFET 電壓表設計中的互調失真，因此在混合電路...
場效應晶體管FET 對短溝道效應 2023-04-07

還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優勢！

摘要高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。正文在功率電子器件領域，工程師們夢想有一種完美的半導體開關，它沒有導電損耗和開關損耗，電壓無窮大，沒有漏電且易于驅動。不幸的是，物理學告訴我們，它僅僅存在...
SiC FET功率器件 2022-11-11

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