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GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態參數測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態參數，也被稱作直流參數，是用來評估半導體器件性能的基礎測試，也是器件使用的重要依據。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發人員設計器件的驅動電路具有重要的指... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT器件測試 寬禁帶器件測試 2023-7-11 10:45
電動汽車 (EV) 市場蓬勃發展，針對構成汽車終端市場的自動駕駛和信息娛樂系統，各種投資進行得如火如荼，這為芯片制造商和供應商帶來了收入增長機會。由于平均每輛電動車配備的芯片數量（2000 個芯片）是燃油動力車的兩倍，芯片制造商面臨著巨大的壓力，需要嘗試更快、成本更低的制造技術和裝配流程。德... （來源：技術文章頻道）
芯片短缺汽車電氣化 2022-7-18 16:30
根據Yole的一篇市場調研報告顯示，第三代半導體（寬禁帶）半導體將受益于新能源車的火熱，在汽車市場中迅速提升。Yole預計，2025年，SiC在新能源車市場將超過15億美元，成為最大的SiC應用市場，具體應用包括主逆變器、OBC及DC/DC轉換器。而GaN在電動汽車中市場總容量將達到1.55億美元，主要應用包括OBC... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵GaNOBCDC／DC轉換器 2022-3-17 15:23
2020年底，意法半導體（ST）宣布到2027年實現碳中和目標和100%采用可再生能源，是目前已知消息中，有望最早實現這個目標的半導體公司。ST此前曾表示，此舉是踐行公司的可持續發展之路的重要舉措。而除了開源可再生能源之外，通過節能，可進一步實現減排目標。ST汽車和分立器件產品部(ADG) 執行副總裁，... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 碳化硅 氮化鎵 SiC GaNST 2022-3-2 14:08
作者: Paul Lee，貿澤電子專稿 圖源：Viktoria Kurpas/shutterstock.com 微電網已經以某種形式存在了很長時間。在20世紀初，當公用事業供應中斷時，為了保持灌溉水泵和室內照明燈的正常運行而啟用了柴油發電機。盡管那個時候可能還沒有微電網的概念，但已經初步具備了微電網架構，即一組本地互聯的負... （來源：技術文章頻道）
MOSFETIGBT半導體 寬帶隙 2022-2-16 16:25
圖源：stock.adobe.com/Grispb 第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子... （來源：技術文章頻道）
半導體器件功率電子5G新能源汽車 2022-1-24 10:08
在過去的幾十年中，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術都呈現快速發展，并且正在被各行業所接受，有著廣闊的市場前景。第一個商用 SiC 器件是德國英飛凌公司2001年推出的肖特基二極管。預計到2026 年，工業市場相關需求有望超過 40 億美元。GaN 則是相對較新，2010 年首次亮相，當時美國 EPC 推出了其超... （來源：技術文章頻道）
SiCGaN車載充電器 2021-11-19 13:59
作者：Paul Lee為貿澤電子撰寫 降低能量損耗預計到2020年，全球電能需求將達到30拍瓦（petawatts）峰值[1]，而在那之后還會進一步增加。電能來源可能是化石燃料或可再生能源，但無論如何，功率轉換設備效率對于最大程度地降低成本和電能損耗至關重要。工業馬達消耗了全球50％以上能源，但是數據中心... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙半導體 可再生能源功率轉換設備 2021-3-5 10:14
GaN晶體管提高了電源系統性能，同時又降低了組件成本。但是，作為一項相對嶄新的技術，我們將如何評估其質量和可靠性？GaN Systems首席執行官Jim Witham回答了此問題。JEDEC此前所做的以硅晶體管為基礎的測試標準，對于GaN，材料不同，因此失效模式和機理也不同。Witham指出，在JEDEC和AEC-Q下測試GaN的... （來源：技術文章頻道）
GaN硅晶體管 2020-12-9 10:53
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