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幾乎每個應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加,電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應(yīng)用: • 超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心:機(jī)架式服務(wù)器工作使用的功率讓人難以置信,這讓公用事業(yè)公司和電力工程師難以跟上不斷增長的電力需求。• 電動汽車:從內(nèi)燃機(jī)到 80... (來源:技術(shù)文章頻道)
功率密度障礙 熱管理 同步降壓轉(zhuǎn)換器 2022-10-17 11:31
作者:Jens Wallmann隨著現(xiàn)代電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 對電力電子技術(shù)的需求迅速增長,設(shè)計(jì)人員越來越多地面臨幾乎難以克服的困難。動力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的能效和功率密度越高,所需的控制電子裝置越復(fù)雜,需要采用能在高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)的高效氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 技術(shù)。除功... (來源:技術(shù)文章頻道)
C2000 MCU 電動汽車(EV) 電機(jī)電力控制 2022-9-16 17:05
從智能手機(jī)和電動汽車 (EV) 到電動汽車充電站和電信中心,電源管理已日益成為我們?nèi)粘J褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。前些年,高效電源管理往往需要讓位于其他設(shè)計(jì)因素。但是,這種狀況現(xiàn)在發(fā)生了改變。在過去 5 到 10 年中,延長電池壽命、減小應(yīng)用尺寸、提高系統(tǒng)安全性,以及滿足消費(fèi)者對于更可靠、成本更... (來源:技術(shù)文章頻道)
電源管理功率密度 2022-5-18 13:20
似乎是在印證國家新基建政策的正確性。2020年新冠疫情暴發(fā)以來,遠(yuǎn)程辦公、在線教育、生鮮電商、無人配送等大量新商業(yè)模式得到了飛速發(fā)展,而這些業(yè)務(wù)模式背后顯然帶來了更大量的數(shù)據(jù)產(chǎn)生和流動——大數(shù)據(jù)中心作為新基建七大領(lǐng)域之一的重要性進(jìn)一步提升。 然而,目前全球40%的數(shù)據(jù)中心集中在美國,這... (來源:技術(shù)文章頻道)
大數(shù)據(jù)中心 數(shù)據(jù)傳輸 2022-4-13 09:48
大數(shù)據(jù)中心的痛點(diǎn),竟能如此解決?——TI芯科技賦能中國新基建之大數(shù)據(jù)中心似乎是在印證國家新基建政策的正確性。2020年新冠疫情爆發(fā)以來,遠(yuǎn)程辦公、在線教育、生鮮電商、無人配送等大量新商業(yè)模式得到了飛速發(fā)展,而這些業(yè)務(wù)模式背后顯然帶來了更大量的數(shù)據(jù)產(chǎn)生和流動——大數(shù)據(jù)中心作為新基建七大領(lǐng)... (來源:技術(shù)文章頻道)
大數(shù)據(jù)TI新基建 2021-9-29 10:47
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可... (來源:技術(shù)文章頻道)
GaN FET絕緣柵極雙極晶體管工業(yè)電源設(shè)計(jì) 2021-1-8 14:46
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。 使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味... (來源:技術(shù)文章頻道)
GaN 5G 2020-12-18 10:07
GaN FETGaN器件 2020-12-16 16:28
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