前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
人工智能正推動著對更高計算密度的需求。但滿足這一需求并非是把更多服務器塞進機架那么簡單。 • 1兆瓦(MW)機架即將到來,標志著機架功率水平呈指數(shù)級躍升 • 這些新型機架將需要強大的液冷系統(tǒng) • 它們還需要全新的物理設計,以實現(xiàn)電力分配與計算模塊的分離... (來源:技術(shù)文章頻道)
數(shù)據(jù)中心電源人工智能 2025-9-18 10:00
三維晶體管結(jié)構(gòu)包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關(guān)鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統(tǒng)平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續(xù)。2011年,英特爾成功量產(chǎn)采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產(chǎn)采用GAA結(jié)構(gòu)的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術(shù)文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
在半導體工藝演進到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環(huán)柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產(chǎn)業(yè)對其可制造心存疑慮,根據(jù)imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明,這家研究巨頭開發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法,解決了制造難題... (來源:技術(shù)文章頻道)
晶體管 2025-6-19 16:12
作者:Dennis E. Bahr博士,Bahr Management, Inc.總裁兼生物醫(yī)學工程師Marc Smith,首席工程師摘要 本文介紹了新型滑動離散周期變換(DPT)算法,可設計用于處理生理信號,尤其是脈搏血氧儀采集的光電容積脈搏波(PPG)信號。該算法采用正弦基函數(shù)進行周期域分析,可解決隨機噪聲和非平穩(wěn)數(shù)據(jù)等難題。DPT在... (來源:技術(shù)文章頻道)
離散周期變換方法處理生理信號 2025-4-8 15:22
作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動芯片電流可達+/-2.3A,可驅(qū)動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動器、工業(yè)變頻器... (來源:技術(shù)文章頻道)
驅(qū)動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
作者:肖淼淼摘要本文介紹了工業(yè)應用輔助電源解決方案,包括兩級式輔助電源架構(gòu)和各種拓撲結(jié)構(gòu)。第一級輔助電源通常使用反激拓撲,英飛凌的1700V CoolSiC™ SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設計。第二級輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓撲,英飛凌的2EP1XXR系列驅(qū)動IC可以提供簡單靈活的解決方案... (來源:技術(shù)文章頻道)
英飛凌工業(yè)應用輔助電源技術(shù) 2025-3-18 14:00
致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X柵極驅(qū)動IC的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。 圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品... (來源:技術(shù)文章頻道)
大聯(lián)大品佳集團Infineon3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案 2025-3-6 14:02
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應單元(PSU)電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。作者:Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部 高級首席系統(tǒng)架構(gòu)師前言人工智能(AI)的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示,英飛凌預測單臺G... (來源:技術(shù)文章頻道)
升級電源機架架構(gòu)AI服務器 2025-2-24 14:21
作者:Edwin Omoruyi,高級應用工程師 摘要 本文提出,CMOS開關(guān)可以取代自動測試設備(ATE)廠商使用的PhotoMOS®開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美,且其導通速度、可靠性和可擴展性的表現(xiàn)也很出色,契合了先進內(nèi)存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。 簡介 人工智能... (來源:技術(shù)文章頻道)
自動測試設備應用PhotoMOS開關(guān) 2025-2-19 15:00
全球的封裝設計普及率和產(chǎn)能正在不斷擴大。封裝產(chǎn)能是一個方面,另一方面是在原型基板和封裝上投入資源之前,進行測試和評估的需求。這意味著設計人員需要利用仿真工具來全面評估封裝基板和互連。 異構(gòu)集成器件的封裝是非常先進的設計,當然也需要電氣仿真。但是這些熱機電系統(tǒng)是否還需要其他仿真呢... (來源:技術(shù)文章頻道)
芯片封裝仿真 2025-2-18 14:34
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導航 手機中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099