三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構,與現有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET,經過試制驗證,目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化,具有濾... (來源:技術文章頻道)
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23