在半導(dǎo)體制程技術(shù)的前沿,英特爾正穩(wěn)步推進(jìn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,加速實(shí)現(xiàn)在2025年推出尖端的制程節(jié)點(diǎn)Intel 18A。今天,我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù):RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn),也將用于Intel 18A。RibbonFET:柵極“... (來源:技術(shù)文章頻道)
晶體管 Intel-18A 英特爾 RibbonFET 2024-9-13 10:30
圖源:H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)極限,降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。在代工行業(yè),采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來明顯的成本競爭優(yōu)勢。2020年... (來源:技術(shù)文章頻道)
GAA芯片技術(shù)CMOS工藝 2022-11-28 10:25
作者:劉松,美國計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸,GAA(環(huán)繞柵極)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面... (來源:技術(shù)文章頻道)
GAAFETMOSFET 2022-8-22 15:15
在過去的 50 年中,影響最深遠(yuǎn)的技術(shù)成就可能是晶體管一如既往地穩(wěn)步向更小邁進(jìn),使它們更緊密地結(jié)合在一起,并降低了它們的功耗。然而,自從 20 多年前筆者在英特爾開始職業(yè)生涯以來,我們就一直在聽到警報(bào)——晶體管下降到無窮小的狀態(tài)即將結(jié)束。然而,年復(fù)一年,出色的新創(chuàng)新繼續(xù)推動半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一... (來源:技術(shù)文章頻道)
晶體管 CMOS 2022-8-12 15:10
摩爾定律的本質(zhì)是創(chuàng)新,我們可以自信地說創(chuàng)新將永不止步摘要:• 英特爾不懈推進(jìn)摩爾定律,在制程工藝基礎(chǔ)創(chuàng)新方面有著深厚底蘊(yùn)。• 在推進(jìn)摩爾定律的過程中,先進(jìn)封裝為架構(gòu)師和設(shè)計(jì)師提供了新工具。• 英特爾擁有完備的研究體系,這讓我們有信心延續(xù)摩爾定律。• 總而言之,在不... (來源:技術(shù)文章頻道)
摩爾定律 英特爾 芯片 2022-3-29 09:57
英特爾加速制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng)新,加強(qiáng)每年創(chuàng)新的節(jié)奏,推動從芯片到系統(tǒng)全面領(lǐng)先 2021年7月27日,英特爾CEO帕特•基辛格在“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上發(fā)表演講。在這次線上發(fā)布會中,英特爾提出了未來制程工藝和封裝技術(shù)路線圖。(圖片來源:英特爾)新聞重點(diǎn)•... (來源:技術(shù)文章頻道)
英特爾制程工藝封裝技術(shù) 2021-7-29 09:27