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RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“... （來源：技術文章頻道）
GaN功率放大器 PMIC 2023-11-29 11:31
2022 年 12 月 6 - 7 日，中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會（第二季）于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會，該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案... （來源：技術文章頻道）
電路保護SiC－FETs 2022-12-28 17:02
Stephen Russell作者：Stephen Russel (單位：TechInsights的Sr. Process Analyst_Power Devices)合著作者：Ramya Cuduvally（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）Brian Langelier（單位：CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院）去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，... （來源：技術文章頻道）
TechInsights碳化硅器件 2022-12-7 14:19
作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙半導體開關 Si MOSFET 2022-5-23 10:21
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