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隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識(shí)別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備，以及最近備受關(guān)注的未來(lái)“元宇宙”重要場(chǎng)景入口設(shè)備的AR/VR等消費(fèi)類終端的創(chuàng)新發(fā)展，對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價(jià)比要求也越來(lái)越高。在最近落下帷幕的第23屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱CIOE2021）上，業(yè)界領(lǐng)先的ALD設(shè)備制造商... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
生物識(shí)別技術(shù) ALD光學(xué)鍍膜應(yīng)用 G通訊技術(shù) 顯示設(shè)備 2021-9-26 11:15
隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃的提出、以及全球科技產(chǎn)業(yè)對(duì)于“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)達(dá)成共識(shí)，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體新材料憑借高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異特性，成為了支撐5G基建、新能源產(chǎn)業(yè)、特高壓、軌道交通等領(lǐng)域的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)表明... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種，是當(dāng)下... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
薄膜沉積設(shè)備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45
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