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應(yīng)用開發(fā)

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下一代晶體管有什么不同

經(jīng)過近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及大量半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 finFET 過渡到 3nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。相對于 finFET，納米片晶體管通過在相同電路占位面積中增加溝道寬度來提供更多驅(qū)動電流。環(huán)柵設(shè)計(jì)改善了通道控制并最大限度地減少了短通道效應(yīng)。圖 1：在納米片晶體管中，...
納米片晶體管3nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn) 2022-11-03

6G研究應(yīng)該未雨綢繆

作者：是德科技董事長、總裁兼首席執(zhí)行官 Ron Nersesian 由于 5G 還處于開發(fā)和部署階段，現(xiàn)在規(guī)劃新一代無線通信技術(shù)似乎還為時(shí)過早。實(shí)現(xiàn)無處不在的 6G 在技術(shù)、監(jiān)管、地域和教育等方面還有重重挑戰(zhàn)。然而，考慮到當(dāng)前一代技術(shù)設(shè)定的宏偉目標(biāo)，現(xiàn)在就開始準(zhǔn)備應(yīng)對這些挑戰(zhàn)并非操之過急。這種新一代無...
6G技術(shù)6G通信6G網(wǎng)絡(luò) 2022-02-11

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)：超越游戲，打造現(xiàn)實(shí)世界的解決方案

作者：Peter在街頭問陌生人什么是虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 或其工作原理，大多數(shù)人都會對這項(xiàng)技術(shù)有一些既有看法，甚至將其等同于電視連續(xù)劇《星際迷航:下一代》中全息甲板 (Holodeck) 上的最終VR實(shí)現(xiàn)。但是，再問他/她什么是增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)，可能很難獲得答案。也許會有人談及這項(xiàng)技術(shù)中游戲的應(yīng)用，或者早期以失...
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)AR 2021-08-18

基于ARM的電磁流量計(jì)設(shè)計(jì)

0 引言電磁流量計(jì)是一種測量導(dǎo)電介質(zhì)體積流量的計(jì)量儀表，具有測量精度高、穩(wěn)定性好、可靠性高等特點(diǎn)。電磁流量計(jì)除可測量一般導(dǎo)電液體的流量外，還可測量液固兩相液體、高粘度液體及鹽類、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿液體的體積流量，可廣泛應(yīng)用于水泥、化工、輕紡、冶金、礦山、造紙、醫(yī)藥、給排水、食品飲料、環(huán)保等...
ARM電磁流量計(jì)量儀表 2021-04-23

GAA FET將為2nm、3nm發(fā)展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝，包括更先進(jìn)的高遷移率版本，但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點(diǎn)的新型全柵場效應(yīng)晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎(chǔ)，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

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