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三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車(chē)輛的變流器中,是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。通過(guò)使用SiC,可實(shí)現(xiàn)額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件,少數(shù)載流子不會(huì)積聚,所以能夠?qū)崿F(xiàn)極低... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
三菱電機(jī) SiC芯片技術(shù) 2024-12-20 16:00
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。截至2024年,三菱電機(jī)已量產(chǎn)第二代平面柵SiC MOSFET芯片,并配套于各種模塊實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。圖1顯示了第二代平... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
三菱電機(jī) SiC MOSFET SiC芯片技術(shù) 2024-12-10 15:00
作者:花文敏 來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體MPPT(Maximum Power Point Tracking)是光伏逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大程度利用太陽(yáng)能的關(guān)鍵部分,不同的MPPT拓?fù)溆懈髯缘奶攸c(diǎn)。本文將對(duì)比常見(jiàn)的三種MPPT電路,并對(duì)雙boost (Dual Boost)的開(kāi)關(guān)模式限制做了原理性分析,直觀解釋了Dual Boost 在MPPT中無(wú)法交錯(cuò)開(kāi)關(guān)。... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
MPPT 拓?fù)湓?/a> 英飛凌 2024-4-25 15:05
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