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構建具有納伏級靈敏度的電壓測量系統會遇到很多設計挑戰，目前較好的運算放大器（比如低噪聲AD797）可以實現低于1nV/ Hz的噪聲性能(1 kHz)，但低頻率噪聲限制了可以實現的噪聲性能為大約50 nV p-p（0.1 Hz至10 Hz頻段內）。過采樣和平均可以降低寬帶噪聲的rms貢獻，但代價是犧牲了更高的數據速率，且功... （來源：技術文章頻道）
運算放大器 低噪聲儀表放大器 2024-12-20 10:36
在本系列第三篇文章中，我們了解到半導體封裝方法主要分為兩種：傳統封裝和晶圓級封裝。接下來，本文將重點介紹這兩種封裝方法，以及兩者在組裝方法和功能方面的差異。在本篇文章中，將著重介紹傳統封裝方法。傳統封裝組裝方法概述圖1顯示了塑料封裝的組裝工藝，塑料封裝是一種傳統封裝方法，分為引線框... （來源：技術文章頻道）
半導體 封裝 2024-3-12 10:28
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產業現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。本篇推文繼續談5G射頻~探索射頻前端技術的不同5G愿景的真正實現，還需要更多創新。網絡基站和用戶設備（例如：手機） 變得越來越纖薄和小巧，能耗也變得越來越低... （來源：技術文章頻道）
5G射頻技術氮化鎵技術 2023-11-10 10:53
氮化鎵技術將繼續在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能影響未來的電信技術。1990年代，美國國防部認識到，與InP、GaAs HBT、GaAs HEMT和Si ... （來源：技術文章頻道）
硅基氮化鎵 射頻市場 RF－GaN 碳化硅 2023-9-21 10:40
本文要點阻抗不匹配會導致并行網絡出現信號反射和不同步現象，從而導致接收器上出現比特錯誤。要快速識別阻抗超標，需要在 PCB 設計工具中使用規則管理器，然后在設計規則中設置阻抗限制和容差。布線后仿真工具可用于檢查不符合阻抗規則的網絡，并確定哪些區域的設計應該更改。走線阻抗控制主要在于確保... （來源：技術文章頻道）
高速設計控制阻抗 2023-8-14 10:17
作者：儒卓力汽車事業部產品銷售經理 Ralf Hickl汽車正在學習傾聽——不僅是傾聽車內的乘客，也傾聽外部環境。這是因為來自車輛環境的聲音信號可以提供有關其他道路使用者的重要信息，從而提升不斷增強的駕駛員輔助系統和自動駕駛功能。麥克風已經成為車輛內部的普遍配置，所有較新的車輛至少都配備了強... （來源：技術文章頻道）
MEMS麥克風自動駕駛 2023-5-17 13:33
作者：Megan Faust Open RAN（O-RAN）發展勢頭強勁，在全球迅速普及，恩智浦通過打造增強型參考設計，助力5G O-RAN的快速部署。這包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解決方案（稱為“SL系列”）將射頻功能集成到客戶的設計中。恩智浦第2代RapidRF前端參考板可節省電路板空間，降低整體復雜性，并... （來源：技術文章頻道）
恩智浦 RapidRF 5G O－RAN 2023-2-28 14:02
第四次工業革命通過在生產過程中實現新場景來推動數字化制造向前發展（參見圖1）。這些場景依賴于基本的設計原則，包括器件互聯、信息透明、技術協助，以及分散決策。沒有先進的無線通信技術，就無法在現代智能工廠中實現所有這些原則。它們支持在廣泛的領域實現多種應用，包括過程自動化、資產跟蹤、機... （來源：技術文章頻道）
智能工廠無線數據互聯 2022-12-22 11:32
作者：Majeed Ahmad5G無線革命正在給射頻設計領域帶來巨大變化，手機和無線電基站的功率放大器也不例外。首先，5G無線應用中的功率放大器芯片將與4G網絡中采用的功率放大器芯片大不相同。這主要是因為5G傳輸的寬帶調制要求功率放大器具有高功率效率和嚴格的線性度。此外，當5G網絡將采用相控陣天線來聚... （來源：技術文章頻道）
5G無線功率放大器 2022-12-2 15:21
經過近十年和五個主要節點以及大量半節點之后，半導體制造業將開始從 finFET 過渡到 3nm 技術節點的全柵堆疊納米片晶體管架構。相對于 finFET，納米片晶體管通過在相同電路占位面積中增加溝道寬度來提供更多驅動電流。環柵設計改善了通道控制并最大限度地減少了短通道效應。 圖 1：在納米片晶體管中，... （來源：技術文章頻道）
納米片晶體管 3nm 技術節點 2022-11-3 10:28
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