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安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... (來源:技術文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此,設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。 GaN 可實現高頻開關,這樣可減小無源器件的尺寸,從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比,GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗,從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN ... (來源:技術文章頻道)
TOLL 封裝 GaN 電源設計TI 2025-6-4 16:08
根據Synergy Research Group的報告顯示,截至2024年底,超大規模運營商運營的數據中心數量達到1136個,較2019年第四季度的不到600個大幅增加,意味著全球超大規模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外,未來幾年規劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%,從314個增加到2025年3月的... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
在功率半導體領域,氮化鎵(GaN)因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”,這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶,但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢,在不同領域都實現如快充頭一樣的普及,一直是行業難題。 德州儀器(TI)日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x,滿足... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下,碳化硅(SiC)產業生態正迅速發展,逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進的封裝技術... (來源:技術文章頻道)
SiC 封裝技術 安森美 碳化硅 2024-8-29 11:16
作者:Wolfspeed 產品市場經理 Eric Schulte碳化硅(SiC)功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統和光伏逆變器等領域。近些年來,汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化硅(SiC)應用的增長, 也使設計工程師更加關注該技術的優勢,并拓寬其應用領域。選擇器件技術無論應用領域如何,每個電源設計... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 PFC技術 Wolfspeed 2024-1-2 15:10
電機驅動設計的技術進步打開了許多大門。例如,在運動控制系統中,更高的精度、效率和控制在用戶體驗和安全、資源優化和環境友好方面提供了許多好處。無刷電機技術的引入是提高整體效率的重要一步。從有刷到無刷的過渡開始于一段時間之前,并且隨著更多新技術和系統組件的引入而繼續發展。然而,與此同... (來源:技術文章頻道)
電機驅動運動控制系統 2023-5-23 10:43
近年來,工業應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝(插件)到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD),再到最新的無引腳封裝,以及內部硅技術的顯著改進,MOSFET 解決方案正在不斷發展,以更好地滿足工業... (來源:技術文章頻道)
MOSFET TOLT封裝 工業應用 2022-12-14 11:35
工業應用 MOSFET—TOLT封裝 2022-12-6 10:48
智能汽車搭載先進傳感系統、決策系統、執行系統,運用信息通信、互聯網、大數據、云計算、人工智能等新技術,具有部分或完全自動駕駛功能,使汽車由單純交通運輸工具逐步向智能移動空間轉變的新一代汽車,對促進智能交通、智慧城市的發展起到重要作用。作為領先半導體制造商,安森美(Onsemi)多年來一... (來源:技術文章頻道)
智能汽車 人工智能 SiC MOSFET 高壓 IGBT 2022-6-23 17:13
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