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↓在 技術文章 中搜索到 22 條關于“coolgan”的信息，用時:0.002 sec.

大聯大品佳集團推出基于Infineon產品的200W超薄壁掛電視電源方案

致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）IDP2308控制器和CoolGaN™ 650V G5晶體管系列的200W超薄壁掛電視電源方案。圖示1-大聯大品佳基于Infineon產品的200W超薄壁掛電視電源方案的展示板圖隨著液晶屏幕技術的日益成...
大聯大品佳集團200W超薄壁掛電視電源... 2025-04-10

升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需求

英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者：Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部高級首席系統架構師前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺G...
升級電源機架架構AI服務器 2025-02-24

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球...
GaN技術可再生能源 2024-12-23

面對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優勢主要體現在三個方面：&#...
電動汽車數據中心SiCGaN 2024-12-02

高壓數字控制應用中實現安全隔離與低功耗的解決方案

ISOFACE™數字隔離器是英飛凌產品組合中的新成員，借助英飛凌二十載隔離技術經驗，提供完整的系統解決方案。Jiaxin Tian，英飛凌高級產品應用工程師；Narayanaswamy Swaminathan博士，英飛凌產品定義工程師；Diogo Varajao博士，英飛凌隔離IC技術營銷主管；Jimmy Wang，英飛凌首席應用工程師引言在...
高壓數字控制應用光隔離器 2023-09-19

設計基于 GaN 的電源系統的更簡單方法：比較市場上的集成驅動器產品

作者：Vito Prezioso 電源專家現場應用工程師，富昌電子（北歐）氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗并提高電源效率，并支持更高的開關頻率，從而減小系統尺寸和重量。...
GaN電源系統集成驅動器 2023-03-28

在柵極驅動器 IC 方面取得的進步讓開關電源實現新的功率密度水平

經久耐用的電氣隔離技術以及柵極驅動器 IC 輸出級和封裝的多項創新作者：英飛凌科技股份有限公司市場總監 Hubert Baierl簡介像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在 3.3 kW 開關電源 (SMPS) 中，產品效率高達 98%，1U結構尺寸，其功率密度可達 100 W/in³。這之所以可以實現是因為我們在圖騰...
柵極驅動器 IC開關電源功率密度水平 2023-03-02

簡述通過柵極驅動器提高開關電源功率密度

像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在 3.3kW 開關電源 (SMPS)中，產品效率高達 98%，1U結構尺寸，其功率密度可達 100 W/in³。這之所以可以實現是因為我們在圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC™），而且還...
柵極驅動器開關電源功率密度 2023-01-09

通過GaN電機系統提高機器人的效率和功率密度

作者：Martin Wattenberg機器人在不同的市場有不同的應用，并以多種形式出現，包括服務機器人、協作機器人(cobots)、工業機器人、自主式無人機和自動導引車。機器人應用成功的關鍵因素之一是確保最佳的電機驅動器設計。硅基電機驅動器需要在效率和尺寸之間做出妥協。例如，較高的開關頻率可實現較...
機器人電機驅動器 2023-01-05

新型電源解決方案CoolGaN解析

電子器件向著小型化方向發展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。英飛凌的總體戰略是將當今的每一項尖端硅技術與寬帶技術相集成。英飛凌...
coolgan新型電源解決方案coolsic 2020-03-19

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