世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功,這項技術被稱為“年度最重要技術”,3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升,而且同等性能下的功耗減少一半,這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。 Intel于2011年5月6日宣布了所謂的“... (來源:電子百科頻道)
三維晶體管Tri-Gate 2012-8-22 16:48
3D三維晶體管 - 簡介 3D三維晶體管 世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功,這項技術被稱為“年度最重要技術”,3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升,而且同等性能下的功耗減少一半,這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。 ... (來源:電子百科頻道)
3D三維晶體管 2012-2-24 17:41