磁性存儲器是利用材料的巨磁阻效應來實現數據存儲的器件。巨磁阻效應(giant magnetoresistance，GMR)指磁性材料的電阻率在外磁場作用時會發生巨大變化的現象，它產生于鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合的磁性材料結構中。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小。材料有最小... （來源：電子百科頻道）
磁性存儲器 2017-8-30 13:19
鐵電體的晶體具有自發極化強度，并且自發極化強度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個穩定的狀態。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達到另一個位置。而存儲的狀態就由中心原子的位置來進行存儲... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
此器件有一個片內、基于PLL的時鐘模塊。此模塊為器件提供所有的時鐘信號，以及控制低功耗模式的進入。 （來源：電子百科頻道）
時鐘模塊低功耗模式 2016-10-17 15:05
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
對單管RRAM存儲器件，RRAM阻變存儲器從高阻態向低阻態轉換時，通常要在器件兩端施加限制電流。主要是因為在RRAM存儲器件從高阻態轉變到低阻態后，流經器件的電流會突然增大，如果不在器件兩端設置一定的限制電流，會造成器件的永久擊穿。為了實現RRAM存儲器件在從高阻態向低阻態轉變過程中... （來源：電子百科頻道）
有源陣列結構RRAM存儲器件 2016-8-4 10:18
在前面的分析中，認為只有當柵源電壓|VGS|大于閾值電壓|VTH|時，才出現漏極電流k，但實際上，在溝道表面處于弱反型時，也就是|VGS|<|VTH|時，就已經形成電流了。這個電流稱為亞閾區電流，或弱反型電流；這種現象稱為亞閾區效應。由于截止特性不理想，導致較大的功耗損失 （來源：電子百科頻道）
亞閾區效應柵源電壓 2016-6-21 10:18
采用金屬一氧化物半導體場效應管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)制造，其主要特點是結構簡單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。 （來源：電子百科頻道）
MOS電路半導體場效應管 2016-6-14 11:04
ACEX是Altera專門為通信(如調制解調器、路由器、交換機)、音頻處理及其他一些場合的應用而推出的芯片。ACEX器件的工作電壓為2．5V，芯片功耗低，集成度在3萬f-]至U幾十萬門之間，基于查找表結構。在工藝上采用先進的1．8V／0．18Inn、6層金屬連線的SRAM工藝制成，封裝形式有BGA、QFP等。 （來源：電子百科頻道）
ACEX調制解調器芯片 2016-6-13 11:28
APD的光譜響應范圍很廣，這是它的一大優點，其中Si-APD工作在400-1100nm，GeAPD在800～1550nm，InGaAs－APD在900-1700nm。尤其是在光纖傳輸損耗較小的紅外波段InGaAs－APD有很大優勢。APD單光子探測器具有量子效率高、功耗低、工作頻譜范圍大、體積小、工作電壓較低等優點，但同時也有增益... （來源：電子百科頻道）
APD光譜光纖傳輸 2016-5-31 10:20
標準邏輯器件是具有標準邏輯功能的通用SSI、MSI集成電路，例如11幾工藝的54／74系列和隨后發展起來的CMOS工藝的CD 4000系列中的各種基本邏輯門、觸發器、選擇器分配器、計數器、寄存器等。 標準邏輯器件的生產批量大、成本低。由于其功能完全確定，電路設計時可將... （來源：電子百科頻道）
2016-5-24 16:23
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