作者:P.Lombardi, E.Poli 來源:意法半導體 摘要 伺服驅動應用市場對尺寸、功率密度和可靠性均提出嚴苛要求,這使得設計穩健解決方案充滿挑戰。意法半導體近期發布的EVLSERVO1參考設計以其緊湊結構和強大性能精準應對這一領域需求。通過系統級優化及采用STSPIN32G4等旗艦器件(該先進電機驅動... (來源:技術文章頻道)
STSPIN32G4伺服電機驅動器 2025-11-11 09:27
作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
安森美 (onsemi) cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現最低的... (來源:技術文章頻道)
SiC 2025-6-13 10:28
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力,可以顯著簡化GaN驅動電路設計,提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... (來源:新品頻道)
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
根據Synergy Research Group的報告顯示,截至2024年底,超大規模運營商運營的數據中心數量達到1136個,較2019年第四季度的不到600個大幅增加,意味著全球超大規模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外,未來幾年規劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%,從314個增加到2025年3月的... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
本文作者:Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵(cascode)結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇,將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... (來源:技術文章頻道)
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數和并聯振蕩的分析,以及設計指南。本文... (來源:技術文章頻道)
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
許多過程控制傳感器,例如熱敏電阻和應變計電橋,都需要的偏置電流。通過添加單個電流設置電阻器 R 1,您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產生恒定且的電流源(圖 1 )。然而,信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ,并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電阻,... (來源:技術文章頻道)
JFET 電流源 2024-12-31 10:28
作者:Abe Ibraheim,核心應用部實習生,Kenneth Armijo,核心應用部工程師,Piyu Dhaker,資深工程師問題當輸入和輸出電壓接近時,為什么難以獲得穩定的輸出電壓? 回答占空比過大或過小(尤其是在高開關頻率下)可能會導致時序不符合規格要求,進而造成系統性能下降。摘要本文是系列文章中的第三篇... (來源:技術文章頻道)
開關模式電源DC-DC開關穩壓器晶體管時序自舉電容 2024-10-17 14:02
高壓柵極驅動器注意事項碳化硅(SiC) 電源模塊為高壓應用的傳統硅 (Si) 器件提供了極具吸引力的替代方案。 SiC 材料具有高擊穿電壓和在高開關頻率下工作的能力,有助于大幅提高功率密度。這一改進不僅提高了電力電子系統的整體效率,而且還通過降低復雜性來簡化其設計。柵極驅動對于提高功率器件的高速開... (來源:技術文章頻道)
參數識別 電源模塊 2024-10-15 11:15