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為了改善電化學電容器中導電聚合物電極的性能，導電聚合物經常與碳H07。甚至與金屬氧化物形成復合材料。與碳形成的復合材料在改善電極的比容量和功率容量方面尤為有效。復合材料中碳的存在使得電極更易于導電，尤其是當聚合物處于導電性較差的中性狀態(未摻雜狀態)時。就ECP／CNT復合電極而... （來源：電子百科頻道）
電化學電容器 2017-9-22 14:35
有一類十分有趣的晶體，當你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產生不同的電荷。這種效應被稱為壓電效應。能產生壓電效應的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓電晶體。 如果按一定方向對水晶晶體上切下的薄片施加壓力，那么在此薄片上將會產生電荷。如果按相反方向拉伸這一薄片，在此... （來源：電子百科頻道）
壓電晶體壓電效應石英振子 2017-2-16 10:16
一個電容器的極板邊緣存在著空氣隙，空氣是絕緣強度最差的介質，一旦極板氣隙之間的電壓超過電離電壓，極板邊緣就有電荷分離出來，穿過絕緣介質最薄弱的空氣隙發生放電，形成電能損耗，這就是電離損耗。 （來源：電子百科頻道）
電容器電荷電能損耗 2016-10-14 13:33
這是亥姆霍茲模型和古伊一查普曼模型的結合。相對于古伊一查普曼模型，其有一個擴散層，但是相對于亥姆霍茲模型，反電荷不能接近電極表面。 （來源：電子百科頻道）
斯特恩模型電荷電極 2016-8-31 17:01
簡單地講，漏電損耗就是介質漏電電流引起的一種電能損耗。電容器極板之間裝入絕緣介質的目的就是使兩極板相互絕緣，避免兩極板上電荷相互移動。但任何絕緣介質都不是理想的絕緣體，總會有極少部分電荷通過介質在兩極板間移動，任何電容器都存在這種現象。當移動的電荷極少，不影響電容器正常工作時，就... （來源：電子百科頻道）
電容器電荷漏電損耗 2016-8-30 14:20
這類材料利用表面快速、n托墮的氧化還原反應∞。這是一種不同于雙電層的電容。這是一種非常有意義的電容，搏不起源于靜電(因此，“贗”的使用是區別于靜電電容而言)而且發生在電化學電荷迂移過程中，在一定程度上受限于有限的活性材料的數量和有效表面積。 （來源：電子百科頻道）
電容電化學電荷靜電電容 2016-8-16 14:07
雙電層電容器儲能方式與傳統電容器大致相同，即通過電荷分離的方式。與傳統的電容器中通常用的二維平板相比，雙電層電容器通過利用高表面積的多孔材料(通常是活性炭)，而得到了更高的電容值。 （來源：電子百科頻道）
電容器 2016-8-16 14:06
SV模型是Simmons和Verderber為了解釋Au／SiO2／Al結構的電阻轉變行為時提出的一種模型。在Au／SiO2／Al結構中。在強電場的激勵過程(electroforming)下，Au電極的離子擴散進SiO2薄膜中，形成電荷傳輸的雜質深能級陷阱，如圖(a)所示。在外加電壓的作用下，電子進入局域態并以隧穿的方式穿過局域態到... （來源：電子百科頻道）
SV模型電阻 2016-8-4 10:15
分立電荷存儲器包括納米晶浮柵存儲器和電荷俘獲存儲器(charge trapping memory，CTM)。使用納米晶來提高flash的性能這一想法最早是由IBM的Tiwari等在1996年提出的，器件的基本結構如圖(a)所示。納米晶存儲器的核心部分由控制柵、阻擋絕緣層、隧穿絕緣層以及它們之間的納... （來源：電子百科頻道）
分立電荷存儲器浮柵結構納米晶存儲器 2016-8-4 10:05
襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產生影響。 在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態，襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... （來源：電子百科頻道）
襯底調制效應背柵效應MOS管 2016-6-21 10:13
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電容器 2016-8-16 14:06
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