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熔絲與反熔絲模型主要用來解釋單極電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象，這種現(xiàn)象經(jīng)常出現(xiàn)在一些過渡族金屬氧化物中，如NIO、TiOx、MnOx和ZrO2等。通常情況下，這類氧化物的初始狀態(tài)為高阻態(tài)，并需要一個(gè)較大的電壓來激活器件的電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象，這個(gè)過程被稱為forming過程，如圖(b)中的forming曲線所示。forming現(xiàn)象類似于... （來源：電子百科頻道）
熔絲反熔絲 2017-8-30 14:10
鐵電體的晶體具有自發(fā)極化強(qiáng)度，并且自發(fā)極化強(qiáng)度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲(chǔ)器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達(dá)到另一個(gè)位置。而存儲(chǔ)的狀態(tài)就由中心原子的位置來進(jìn)行存儲(chǔ)... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
新型元器件是指利用新原理、新技術(shù)、新工藝或新材料制造的具有新結(jié)構(gòu)、新功能、新用途，能夠促進(jìn)民族經(jīng)濟(jì)信息化，促進(jìn)電子技術(shù)和整機(jī)更新?lián)Q代的新一代電子元器件。其特征是：微小型化、多功能、綠色化，有良好的市場應(yīng)用前景，可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)并形成產(chǎn)業(yè)。 今后新型元器件發(fā)展的重點(diǎn)是： ◆表... （來源：電子百科頻道）
新型元器件陶瓷電容器片式電阻器 2017-3-16 13:34
簡稱并口，也就是LPT接口，是采用并行通信協(xié)議的擴(kuò)展接口。并口的數(shù)據(jù)傳輸率比串口快8倍，標(biāo)準(zhǔn)并口的數(shù)據(jù)傳輸率為1Mbps，一般用來連接打印機(jī)、掃描儀等。所以并口又被稱為打印口。 另外，串口和并口都能通過直接電纜連接的方式實(shí)現(xiàn)雙機(jī)互連，在此方式下數(shù)據(jù)只能低速傳輸。多年來PC的串口與并口的... （來源：電子百科頻道）
并行接口LPT接口通信協(xié)議 2017-2-16 10:17
Likharev等提出的結(jié)合納米技術(shù)和傳統(tǒng)CMOS工藝的CMOS／納米線／分子混合集成(CMOS／nanowire／molecular hybrid，CMOL)技術(shù)引起研究者們的廣泛關(guān)注，被認(rèn)為是最有前途的CMOS替代技術(shù)之一。然而，當(dāng)前的CMOL電路仍然面臨著諸多問題，最重要的就是連接兩層納米互連線的納米級小尺寸二極管的開... （來源：電子百科頻道）
CMOL電路納米技術(shù)存儲(chǔ)器 2016-10-13 13:55
針對基于傳統(tǒng)FPGA中SRAM架構(gòu)的揮發(fā)性缺點(diǎn)，如果將SRAM變?yōu)榉菗]發(fā)性的SRAM，即可以擁有SRAM連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入的優(yōu)點(diǎn)，又可以確保斷電后不丟失數(shù)據(jù)，保證數(shù)據(jù)的安全。目前已有關(guān)于采用NVSRAM編程的FPGA的報(bào)道，如基于鐵電存儲(chǔ)器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發(fā)存儲(chǔ)器等優(yōu)點(diǎn)。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術(shù)RRAM存儲(chǔ)單元鐵電存儲(chǔ)器 2016-10-13 13:54
作為新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的一員，RRAM要能夠與現(xiàn)在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲(chǔ)性能做到和flash相當(dāng)之外。RRAM必須利用高集成密度的優(yōu)勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認(rèn)為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲(chǔ)器 2016-10-12 13:52
電化學(xué)金屬化(electrochemical metallization)機(jī)制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態(tài)電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學(xué)活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學(xué)惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構(gòu)成。該類RRAM的電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象... （來源：電子百科頻道）
電化學(xué)金屬化機(jī)制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
CS業(yè)務(wù)包括語音業(yè)務(wù)、視頻業(yè)務(wù)。 語音業(yè)務(wù)測試的主要目的是評估室分系統(tǒng)的語音覆蓋水平和通話質(zhì)量，發(fā)現(xiàn)語音類接人失敗、掉話問題、MOS值低或其他問題，記錄問題發(fā)生的樓層、位置，以便及時(shí)整改。 視頻通話主要檢驗(yàn)室分系統(tǒng)對視... （來源：電子百科頻道）
語音業(yè)務(wù)視頻業(yè)務(wù) 2016-6-29 14:46
熱電子效應(yīng)也是由于器件尺寸減小導(dǎo)致電場強(qiáng)度增加引起的。強(qiáng)電場在使載流子的平均速度達(dá)到飽和的同時(shí)，使其瞬時(shí)速度不斷增大，動(dòng)能也不斷增加。具有比熱平衡時(shí)的 能量高得多的能量的電子稱為熱電子。 熱電子與晶格的碰撞，引起碰撞電離，產(chǎn)生電子空穴對，其中的電子流... （來源：電子百科頻道）
MOS器件模擬電路設(shè)計(jì) 2016-6-22 13:00
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