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相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... （來源：電子百科頻道）
無源陣列有源結構交叉陣列 2016-6-15 10:51
采用金屬一氧化物半導體場效應管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)制造，其主要特點是結構簡單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。 （來源：電子百科頻道）
MOS電路半導體場效應管 2016-6-14 11:04
lcd模塊 介紹LCM（LCDModule）即LCD顯示模組，是指將玻璃和LCD驅動器集成到一起的LCD顯示產品，它提供用戶一個標準的LCD顯示驅動接口（有4位、8位、VGA等不同類型），用戶按照接口要求進行操作來控制LCD正確顯示。LCM相比較玻璃是一種更高集成度的LCD產品，對小尺寸LCD顯示，LCM可以比較方便的與各種微... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:57
百科名片 MOS管示意圖 NMOS英文全稱為：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思為金屬-氧化物-半導體，而擁有這 種結構的晶體管我們稱之為MOS晶體管。 有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電 路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMO... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:29
PMOSPMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:28
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:27
百科名片 日本產圖像傳感器圖像傳感器，是組成數字攝像頭的重要組成部分。根據元件的不同，可分為CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）和CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體元件）兩大類。 概述 CCD CCD是應... （來源：電子百科頻道）
2013-4-1 11:01
實現基本和常用邏輯運算的電子電路，叫邏輯門電路。 在數字電路中，所謂“門”就是只能是先基本邏輯關系的電路。 簡介 邏輯門電路 最基本的邏輯關系是與、或、非，最基本的邏輯門是與門、或門、和非門。 實現“與”運算的叫 與門，實現“或”運算的叫 或門，實現“非”運算的叫非門，也叫做反相器，... （來源：電子百科頻道）
2013-3-22 11:22
地址鎖存器就是一個暫存器，它根據控制信號的狀態，將總線上地址代碼暫存起來。8086/8088數據和地址總線采用分時復用操作方法，即用同一總線既傳輸數據又傳輸地址。當微處理器與存儲器交換信號時，首先由CPU發出存儲器地址，同時發出允許鎖存信號ALE給鎖存器，當鎖存器接到該信號后將地址/數據總線上的... （來源：電子百科頻道）
地址鎖存器 2013-3-21 08:53
NAND閃存芯片 NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。 基本介紹 NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們... （來源：電子百科頻道）
2013-3-15 10:53
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