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熱電子效應也是由于器件尺寸減小導致電場強度增加引起的。強電場在使載流子的平均速度達到飽和的同時，使其瞬時速度不斷增大，動能也不斷增加。具有比熱平衡時的 能量高得多的能量的電子稱為熱電子。 熱電子與晶格的碰撞，引起碰撞電離，產生電子空穴對，其中的電子流... （來源：電子百科頻道）
MOS器件模擬電路設計 2016-6-22 13:00
襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產生影響。 在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態，襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... （來源：電子百科頻道）
襯底調制效應背柵效應MOS管 2016-6-21 10:13
AMD推出的4G DDR3 1600內存RAM（random access memory）隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和... （來源：電子百科頻道）
2013-6-4 10:21
百科名片 MOS管示意圖 NMOS英文全稱為：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思為金屬-氧化物-半導體，而擁有這 種結構的晶體管我們稱之為MOS晶體管。 有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電 路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMO... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:29
PMOSPMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:28
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 13:27
百科名片 金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 11:34
逆變器（inverter）是把直流電能（電池、蓄電瓶）轉變成交流電（一般為220v50HZ正弦或方波）。通俗的講，逆變器是一種將直流電（DC）轉化為交流電（AC）的裝置。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成。廣泛適用于空調、家庭影院、電動砂輪、電動工具、縫紉機、DVD、VCD、電腦、電視、洗衣機、抽油煙機、... （來源：電子百科頻道）
逆變器直流電能 2013-3-26 10:50
實現基本和常用邏輯運算的電子電路，叫邏輯門電路。 在數字電路中，所謂“門”就是只能是先基本邏輯關系的電路。 簡介 邏輯門電路 最基本的邏輯關系是與、或、非，最基本的邏輯門是與門、或門、和非門。 實現“與”運算的叫 與門，實現“或”運算的叫 或門，實現“非”運算的叫非門，也叫做反相器，... （來源：電子百科頻道）
2013-3-22 11:22
百科名片 開關電源模塊開關電源模塊是將開關電源上的分立元器件進行模塊化封裝，從而形成體積更小、功率密度更高的模塊電源 。其內部電路也是開關電源。 產品簡介 開關電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類，DC/DC變... （來源：電子百科頻道）
2013-3-19 09:46
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