近日,國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺(簡稱"國創中心")在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破,成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展,為相關產業鏈上市公司帶來新的... (來源:新聞頻道)
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
——專訪安森美高級現場應用工程師陳熙 在AI技術飛速發展的當下,數據中心作為算力樞紐,正面臨著日益嚴峻的能耗挑戰。為深入了解行業應對之策,中電網特別專訪了安森美高級現場應用工程師陳熙,圍繞AI數據中心的能耗困境、安森美的技術解決方案、供應鏈保障及未來研發方向展開深入探討。... (來源:新聞頻道)
AI 數據中心硅溝槽功率 MOSFETSiC MOSFET 2025-10-16 09:28
● 英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄,約定互為采用特定碳化硅(SiC)半導體產品的客戶提供第二供應商支持 ● 未來,客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換,從而提升設計與采購的靈活性 ● 此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用... (來源:新聞頻道)
SiC功率器件儲能系統充電器 2025-10-15 15:06
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中,碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H,便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管,它以其卓越的性能,成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數 核心... (來源:新品頻道)
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
當地時間10月6日,全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心——比利時微電子研究中心(imec)宣布,歡迎 AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco 成為其 300 毫米氮化鎵 (GaN) 低壓和高壓電力電子應用開放式創新計劃軌道的首批合作伙伴。 △AIXTRON(愛... (來源:新聞頻道)
imecGaN功率器件 2025-10-9 11:05
作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
機器人技術正以驚人速度發展,從配送包裹的無人機到與人協作的人形機器人(Humanoids)和協作機器人(Cobots),各類形態的機器人對電源、安全性和效率提出了差異化需求。瑞薩電子電源系統營銷高級經理堀井浩久(Hirohisa Horii)在 PowerUP 播客中指出,不同類型機器人的電源設計邏輯截然不同:電池供... (來源:技術文章頻道)
瑞薩電子機器人電源設計氮化鎵 2025-9-29 11:00
據湖北日報,武漢國家信息光電子創新中心宣布成功發布首套全國產化 12 寸硅光全流程套件。目前,全國已有超 40 家企業、高校、機構來中心溝通合作,其中十余家進入實質性合作階段。 ▲ 圖源武漢國家信息光電子創新中心 有關負責人表示,相應套件“工具包”可令芯片生產擁有統一的&... (來源:新聞頻道)
武漢12 寸硅光 2025-9-28 11:07
9月26日,蘇州和林微納科技股份有限公司(以下簡稱“和林微納”)正式向香港交易所遞交了上市申請,擬通過募集資金為下一代產品研發提供資金支持。此次募集資金將主要用于以下幾個研發方向: 高端半導體AI芯片最終測試探針研發 探針尖端超硬導電材料:開發維氏硬度目標值不低于8... (來源:新聞頻道)
和林微納 2025-9-28 09:31