在新能源產業飛速發展的當下,碳化硅技術作為提升功率密度、優化能源效率的關鍵,備受行業關注。中電網10月份《新材料》主題月聚焦新材料領域,特邀安森美碳化硅技術專家 Jiahao Niu、電源方案事業部業務拓展經理 Sean Gao 及 Hank Zhao,深入探討安森美在碳化硅技術的布局與成果。 聚... (來源:新聞頻道)
碳化硅技術EliteSiC M3e MOSFET封裝技術 2025-10-22 15:12
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載,并聯器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。本白皮書將探討IGBT并聯的技術要點... (來源:技術文章頻道)
IGBT 并聯設計 2025-4-21 10:03
作者:Faheem Zahid, Littelfuse產品營銷經理 Jose Padilla, Littelfuse產品管理高級總監 Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat))、強大的短路能力和更大的電流范圍。特別適用于PTC加... (來源:技術文章頻道)
IGBTLittelfuse電池供電BDU 2025-4-9 14:02
• 無需焊接或探針,即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態特性• 是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現快速、重復測試• 寄生功率回路電感小于10nH,實現干凈的動態測試波形是德科技(NYSE: KEYS )增強了其雙脈沖測試產品組合,使客戶能夠從寬禁帶(WBG)功... (來源:新聞頻道)
是德科技寬禁帶半導體裸片動態測試 2025-3-21 15:00
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載,并聯器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些,才能... (來源:技術文章頻道)
IGBT并聯器件 2025-1-21 14:05
一直以來,硅是半導體行業的主要材料,從微處理器到分立功率器件,無處不在。隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。這時,寬禁帶(WBG)材料,包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的誕生,讓行業內看到了新的曙光。隨著市場對高效、綠色產品的熱衷,以電動汽車... (來源:新聞頻道)
安森美 碳化硅 電氣化 2024-11-20 17:39
助力車載電動壓縮機和工業設備逆變器等效率提升全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。此次發售的產品包括4款分立封裝... (來源:新品頻道)
ROHM 逆變器 1200V IGBT 2024-11-8 11:02
EliteSiC M3S功率集成模塊(PIM)在汽車充換電領域的創新再獲認可智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)憑借其最新研發的EliteSiC M3S功率集成模塊(PIM)在充換電領域取得的重大突破,成功入選業界知名媒體蓋世汽車金輯獎“新供應鏈百強”榜單。金輯獎旨在表彰那些在... (來源:新聞頻道)
安森美中國汽車新供應鏈百強榜單 2024-10-30 10:34
Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。點擊此處了解更多。“我們正處于斷路器技術下一輪革命的初期階段。”Qorvo業務發展經理Andy Wilson表示,“固態電路斷路器要在市場上取得成功,就... (來源:新品頻道)
Qorvo電路保護固態斷路器 2024-9-11 09:36
應用于主機逆變器,有助于延長續航里程,提升性能日前,搭載了羅姆(總部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應用于浙江吉利控股集團(以下簡稱“吉利”)的電動汽車(以下稱“EV”)品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機逆變器上。自2023財年起,這款功率模塊經由羅... (來源:新聞頻道)
羅姆 吉利集團 第4代SiC MOSFET裸芯片 2024-8-29 14:41