作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
國家能源局等四部門發布關于推進能源裝備高質量發展的指導意見。 注意到,其中提出,推動建立高安全、高可靠電池儲能裝備體系,研制長壽命、寬溫域、低衰減鋰電池、鈉電池、固態電池關鍵裝備,構建低成本長時釩基、鐵基、有機等液流電池裝備體系。突破電池管理系統安全監測、隱患預警和主動防護... (來源:新聞頻道)
電池儲能 2025-9-23 09:33
英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2,將工業應用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-8-1 16:27
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合,在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ,廣泛適用于車載充電... (來源:新品頻道)
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... (來源:技術文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
為推動下一代固態配電系統的發展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
常規開關(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導電狀態和反向阻塞狀態。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導。這允許反向傳導流,但沒有任何門控制。這些設備通常可以通過在背對背(B2B)配置中使用這些設備中的兩個設備來實現可開關的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來源:技術文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開關 2025-4-17 09:13
作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... (來源:技術文章頻道)
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新,全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V G2 2025-2-20 11:33
日前,安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。 據悉,SiC JFET技術的加入將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合,使其能應對人工智能(AI)數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。在電動汽車... (來源:新聞頻道)
安森美碳化硅 2025-1-21 10:08