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安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu),可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。 ... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
安森美 (onsemi) cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。為了實(shí)現(xiàn)最低的... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC 2025-6-13 10:28
為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出了新型CoolSiC™ JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性,使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC JFET 2025-5-6 16:32
本文作者:Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇,將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。本文... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC JFET并聯(lián)示波器 2025-3-5 14:06
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內(nèi)容包括Cascode(共源共柵)關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析,以及設(shè)計(jì)指南。... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC JFET 安森美Al并聯(lián)設(shè)計(jì) 2025-2-28 14:10
日前,安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)悉,SiC JFET技術(shù)的加入將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求。在電動汽車... (來源:新聞頻道)
安森美碳化硅 2025-1-21 10:08
收購Qorvo的SiC JFET業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide,預(yù)計(jì)將在5年內(nèi)為安森美帶來13億美元的市場機(jī)會安森美(onsemi,納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛... (來源:新聞頻道)
安森美 碳化硅 JFET 技術(shù) 電源 2024-12-11 10:25
當(dāng)晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時,晶體管將跨越其線性區(qū)域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導(dǎo)非常高,漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此,驅(qū)動器在跨越線性區(qū)域時將承受嚴(yán)重負(fù)載,這會導(dǎo)致柵極電壓保持在穩(wěn)定狀態(tài)。因此,除非驅(qū)動器可以提供幾安培的電流,否則開關(guān)速度將大大減慢。如此... (來源:技術(shù)文章頻道)
開關(guān)功率晶體管 2024-9-23 10:30
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