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芯和半導體科技（上海）股份有限公司（以下簡稱“芯和半導體”）在近日舉辦的DesignCon 2025大會上正式發布其重磅新品，包括下一代電子系統的全新3D多物理場仿真平臺XEDS及面向系統設計的散熱分析平臺Boreas。與此同時，芯和半導體全面升級了其“從芯片到系統”的全棧集成系統EDA平... （來源：新聞頻道）
芯和半導體DesignCon 2025全棧集成系統EDA平臺 2025-2-6 11:11
作者：是德科技產品營銷經理Brian Whitaker 預計到 2028 年，全球汽車 DC-DC 轉換器市場規模將達到187億美元，年復合增長率為10%。[1]DC-DC 轉換器是汽車的重要組成部分，它可以通過電壓轉換為各種車載系統供電，例如日益復雜的車載信息娛樂系統、使用高級駕駛輔助系統（ADAS）實現的增強安全功能等。... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 混動汽車 DC－DC轉換器 2024-7-24 11:02
戰術通信技術已經走了很長一段路，從在現場鋪設電纜到在傳達命令時保持態勢感知。在這個以網絡為中心的沖突時代，IT基礎設施已經一路走到戰場邊緣的移動指揮所。軍事現代化繼續無情地進行。軍費開支的增加正在推動陸地、空中和海上平臺采購先進的無線通信系統。全球戰術通信市場將在16-2019年期間以202... （來源：技術文章頻道）
無線電氮化鎵 2023-6-5 10:55
由sureCore公司牽頭的英國技術戰略委員會資助的CryoCMOS創新聯盟報告說，它已經成功地創造了新的PDK質量級的晶體管模型，其特點是4K和77K運作。SureCore正在利用這些技術開發關鍵基礎IP，以便設計用于量子計算領域的低溫控制ASIC。支持這一活動的關鍵是由比利時魯汶-拉-紐夫的Incize進行的精確的低溫測... （來源：新聞頻道）
CryoCMOS聯盟 晶體管模型 CryoIP 2023-5-11 16:21
機器人與工業自動化設備已經是工業生產過程中不可缺席的要角，如今機器人也陸續朝向家用與商用市場發展，以不同的形態、功能，出現在消費者的面前。這些機器人都需要穩定的電源來驅動電機與控制系統，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）便在其中扮演重要的角色。本文將為您介紹MOSFET的發展歷程，... （來源：技術文章頻道）
工業自動化 電源驅動 MOSFET 2022-8-19 11:32
作者：Marian，Stofka晶閘管（SCR）是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當代開關領域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等所取代，但它們在兆瓦級開關器件... （來源：技術文章頻道）
半導體開關器件 晶閘管 2022-6-1 09:27
在本章，我們將介紹設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應用的一些技術，并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應用。我們還將探討技術領導者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術，以滿足許多應用領域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應用中的一些重要... （來源：技術文章頻道）
GaN 技術 射頻前端 GaN PA 2022-5-7 10:07
美國Modelithics公司，該公司提供射頻和微波有源和無源仿真模型的電子設計自動化（EDA）和Qorvo公司（核心技術和射頻解決方案的移動，基礎設施建設和航空航天/國防應用的供應商）有宣布計劃擴大高精度非線性模型的Modelithics Qorvo氮化鎵庫Qorvo氮化鎵（GaN）晶體管。現有的氮化鎵庫版本（V1.5）有29個... （來源：新品頻道）
晶體管射頻解決方案無源仿真模型 2015-5-18 13:43
今天Intel宣布在微處理器晶體管設計上取得了一項重大的突破，沿用50多年的傳統硅晶體管將實現3D架構，Intel將其命名Tri-Gate。 Intel今天正式公布3D晶體管技術 其實早在2002年Intel即發現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22n... （來源：新品頻道）
Intel3D晶體管技術 2011-6-9 14:32
6月23日訊, 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于發射功率放大的高性能HA31005和用于接收無線電波的低噪聲放大器HA31006。這些采用SiGe工藝的低電流消耗的發射功率放大器MMIC和接收低噪聲放大器MMIC實現了1.5dB的低噪聲性能.瑞薩科技的首批用于無線網絡應用的MMIC產品的樣品將從2005年8月... （來源：新品頻道）
無線 2005-6-29 14:30
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