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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動(dòng)的便攜式測(cè)量?jī)x、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測(cè)器等小型應(yīng)用中的測(cè)量放大器。 近年來(lái),隨著便攜式測(cè)量?jī)x和可... (來(lái)源:新品頻道)
ROHMCMOS運(yùn)算放大器TLR1901GXZ 2025-7-30 14:03
近年來(lái),伴隨著生成式AI與大語(yǔ)言模型的快速發(fā)展,用來(lái)訓(xùn)練AI大模型的數(shù)據(jù)量越來(lái)越龐大,單芯片晶體管密度卻已逼近物理與經(jīng)濟(jì)雙重極限。以GPT-4為例,其訓(xùn)練參數(shù)量達(dá)到了1800B,OpenAI團(tuán)隊(duì)使用了25000張A100,并花了90-100天的時(shí)間才完成了單次訓(xùn)練,總耗電在2.4億度左右,成本約為6300萬(wàn)美元。 ... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
CoPoSAI 2025-7-30 13:21
韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 9 日?qǐng)?bào)道稱,SK 海力士為應(yīng)對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)器晶圓厚度的不斷降低,考慮導(dǎo)入飛秒激光等先進(jìn)晶圓切割技術(shù)。 據(jù)悉 SK 海力士目前使用的主要晶圓切割技術(shù)包括機(jī)械刀片切割(采用金剛石砂輪)、隱形切割(內(nèi)部創(chuàng)造裂隙),但分別只能適應(yīng)厚度在 100μm 及以上、50μm 左右的... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
SK 海力士晶圓切割 2025-7-15 09:04
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”,其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm,導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.),達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu),不僅提高器件集成度,還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另... (來(lái)源:新品頻道)
ROHMMOSFET 2025-5-16 11:04
導(dǎo)讀封裝是MEMS制造過(guò)程的重要環(huán)節(jié),決定了MEMS器件的可靠性和成本。開(kāi)口封封裝技術(shù)是智芯傳感在封裝工藝上的一次創(chuàng)新突破。這一創(chuàng)新技術(shù)不僅攻克了MEMS壓力傳感芯片一體化塑封的這一世界級(jí)難題,還憑借其卓越的性能與高效生產(chǎn)優(yōu)勢(shì),引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)升級(jí)。本文將深入剖析開(kāi)口封封裝技術(shù),帶您領(lǐng)略其獨(dú)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
智芯傳感 MEMS壓力傳感器 開(kāi)口封封裝技術(shù) 2025-4-2 10:38
2024年12月4日上午,曙光信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:中科曙光)與杭州唯美地半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱:杭州唯美地)及成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司(以下簡(jiǎn)稱:復(fù)錦功率半導(dǎo)體)共同簽約了戰(zhàn)略合作協(xié)議,中科曙光信息成都有限公司總經(jīng)理?xiàng)顝┎⒑贾菸赖?amp;復(fù)錦功率半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人張帥... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
中科曙光 復(fù)錦功率半導(dǎo)體 杭州唯美地 2024-12-6 09:05
12英寸Si晶圓切割工藝(將晶圓切割成芯片)12英寸Si晶圓生產(chǎn)線和制造的晶圓(左側(cè)為12英寸Si晶圓,右側(cè)為同一工廠制造的8英寸Si晶圓) 三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2024年9月30日)宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開(kāi)始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片,用于... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
三菱電機(jī) Si晶圓 功率半導(dǎo)體 2024-10-11 09:30
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運(yùn)行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此,封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品運(yùn)行速度的要求不斷提高,封裝材料需要具備更優(yōu)異的電氣性能,比如具備低介電常數(shù)(Permittivity)1和介電損耗(Dielectric Loss... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
SK海力士 半導(dǎo)體封裝 2024-8-13 10:06
斑馬技術(shù)大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān) 程寧近年來(lái),電動(dòng)汽車(chē)已隨處可見(jiàn),燃油汽車(chē)向新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型也備受關(guān)注。此外,數(shù)字化和智能化則是汽車(chē)行業(yè)迎來(lái)的另一個(gè)重大轉(zhuǎn)型,且這一趨勢(shì)還在不斷發(fā)展。隨著技術(shù)的發(fā)展,汽車(chē)行業(yè)的新變革可能已經(jīng)開(kāi)始。雖然現(xiàn)階段還無(wú)法確定生成式AI將如何改變未來(lái)長(zhǎng)期內(nèi)駕駛員、汽車(chē)和周... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
AI驅(qū)動(dòng)汽車(chē)制造轉(zhuǎn)型 2024-8-12 13:32
在本系列第七篇文章中,介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外,本文還將介紹應(yīng)用于這... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
晶圓級(jí)封裝 工藝流程 2024-6-28 10:12
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