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以高性能GaN器件應對能源管理挑戰隸屬于博世集團的羅伯特·博世創業投資公司（以下簡稱“博世創投”）已完成對廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州，是國內領先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領域的豐富經驗和創新... （來源：新聞頻道）
可再生能源 GaN器件 2022-9-14 09:04
過去兩年，人們對電子設備和汽車產品的需求量巨大，這對全球芯片制造商提出了巨大的挑戰。物聯網 (IoT)、人工智能 (AI) 的大規模增長，為半導體供應鏈帶來更多要求。隨著全球新冠病毒的持續，半導體的供應鏈已經被打斷，這進一步影響了芯片的生產規模。日前，Circuit Digest專訪了安森美CEO Hassane El... （來源：技術文章頻道）
物聯網 人工智能 汽車及工業市場 2022-3-25 13:26
看準未來化合物半導體的發展，意法半導體(ST)與晶圓代工龍頭臺積電宣布攜手合作，加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）制程技術的開發，并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。而透過此合作，意法半導體將采用臺積電的氮化鎵制成技術，來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。 臺積電指出，氮化鎵是一... （來源：新聞頻道）
臺積電意法GaN代工市場 2020-2-21 10:28
新的三維霍爾效應位置傳感器支持對同質和漸變雜散場的補償 度靈活的產品架構支持多種數碼接口（SPI, PWM, SENT，SAE J2716 rev. 2016 和 PSI5 rev. 2.x) TDK公司（東京證交所代碼6762）成員Micronas以HAL® 39xy擴展其霍爾傳感器產品線，該產品支持雜散場補償，具有高度靈活的架構感測多維... （來源：新品頻道）
3D霍爾效應位置傳感器雜散磁場補償HAL 39xy系列傳感器 2019-3-22 10:14
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